半导体产业网消息：安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，在PCIM Europe展会发布全球首款To-Leadless(TOLL)封装的碳化硅(SiC)MOSFET。该晶体管满足了对适合高功率密度设计的高性能开关器件迅速增长的需求。直到最近，SiC器件一直采用明显需要更大空间的D2PAK 7引脚封装。
TOLL封装的尺寸仅为9.90 mm x 11.68 mm，比D2PAK封装的PCB面积节省30%。而且，它的外形只有2.30 mm，比D2PAK封装的体积小60%。
除了更小尺寸之外，TOLL封装还提供比D2PAK 7引脚更好的热性能和更低的封装电感(2 nH)。 其开尔文源极(Kelvin source)配置可确保更低的门极噪声和开关损耗——包括与没有Kelvin配置的器件相比，导通损耗(EON)减少60%，确保在具有挑战性的电源设计中能显著提高能效和功率密度，以及改善电磁干扰(EMI)和更容易进行PCB设计。
安森美先进电源分部高级副总裁兼总经理Asif Jakwani说：
能在小空间内提供高度可靠的电源设计正成为许多领域的竞争优势，包括工业、高性能电源和服务器应用。将我们同类最佳的SiC MOSFET封装在TOLL封装中，不仅减小空间，还在诸多方面增强性能，如EMI和降低损耗等，为市场提供高度可靠和坚固的高性能开关器件，将帮助电源设计人员解决对其严格的电源设计挑战。
SiC器件比硅前辈具有明显的优势，包括增强高频能效、更低的EMI、能在更高温度下工作和更可靠。安森美是唯一具有垂直集成能力的SiC方案供应商，包括SiC晶球生长、衬底、外延、晶圆制造、同类最佳的集成模块和分立封装解决方案。
NTBL045N065SC1是首款采用TOLL封装的SiC MOSFET，适用于要求严苛的应用，包括开关电源(SMPS)、服务器和电信电源、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)和储能。该器件适用于需要满足最具挑战性的能效标准的设计，包括ErP和80 PLUS Titanium能效标准。
NTBL045N065SC1的VDSS额定值为650 V，典型RDS(on)仅为33 mΩ，最大电耗(ID)为73 A。基于宽禁带(WBG)SiC技术，该器件的最高工作温度为175°C，并拥有超低门极电荷(QG(tot) = 105 nC)，能显著降低开关损耗。此外，该TOLL封装是保证湿度敏感度等级1 (MSL1)，以确保减少批量生产中的故障率。
此外，安森美还提供车规级器件，包括TO-247 3引脚、4引脚和D2PAK 7引脚封装。
