首次采用GAA技术 台积电正式启动2nm晶圆厂建设，将于2025年投产

半导体产业网讯：据台湾媒体报道，晶圆代工龙头台积电位于台湾竹科宝山二期的2nm晶圆厂Fab 20建厂计划已正式启动。竹科管理局局长王永壮20日表示，竹科管理局已将部分用地租予台积电，台积电将可展开整地作业，估计最晚将于6月取得所有用地。另外，世界先进评估兴建12吋厂且有意进驻铜锣园区设厂，王永壮表示待环差案通过将进行用地分配。

 

王永壮表示，竹科宝山二期扩建计划进展顺利，经过几十次沟通，已有超过九成的地主同意价购征收，新竹县政府将于4月底公告征收，估计最晚将于6月取得所有用地。同时，管理局3月已将部分用地租予台积电，台积电可以展开整地作业。

 

台积电此前已确定将在竹科宝山二期兴建Fab 20超大型晶圆厂，未来在此生产2nm。

 

设备业者指出，台积电Fab 20厂区将分为第一期到第四期、共兴建4座12吋晶圆厂，预计2024年下半年进入风险性试产，2025年进入量产。

据悉，台积电将会在2nm工艺上采用GAA FET(全环绕栅极晶体管)，取代finFET (鳍式场效应晶体管)。目前三星为了和台积电竞争，做法比较激进，将会在3nm工艺就用上GAA技术。而台积电为了提供给客户最成熟的技术、最好的效能及最佳的成本，保守的选择finFET技术生产3nm工艺芯片。

 

台积电2nm之后的更先进制程将进入埃米（angstorm）时代，业界预期，台积电后续将推进到18埃米（1.8nm），但尚未决定设厂地点。设备业者评估，台积电2nm需求强度若优于预期，竹科用地不足，将可能转赴台中建立2nm及18埃米等先进制程晶圆厂，中科二期用地已纳入考虑。

 

台积电去年进入2nm N2制程技术的开发阶段，着重于测试载具设计与实作、光罩制作及硅试产等，主要进展在于提升基础制程设定、晶体管与导线性能。在光刻技术部份，台积电研发组织藉由提升晶圆良率达到可靠影像以支持3nm试产，并提升极紫外光（EUV）的应用、降低材料缺陷与增进平坦化的能力，以支持2nm技术的开发。