资料显示，成立于1987年的燕东微是一家集芯片设计、晶圆制造和封装测试于一体的半导体企业，主营业务包括产品与方案和制造与服务两类业务。公司产品与方案业务聚焦于设计、生产和销售分立器件及模拟集成电路、特种集成电路及器件；制造与服务业务聚焦于提供半导体开放式晶圆制造与封装测试服务。公司主要市场领域包括消费电子、汽车电子、新能源、电力电子、通讯、智能终端和特种应用等。燕东微累计申请专利300余件，其中授权有效专利200余件。
燕东微控股股东和实际控制人均为北京电控（国有独资）。本次发行前，北京电控直接持有燕东微全部股份的比例为41.26%，同时，通过多家下属单位和一致行动人合计控制燕东微60.23%的股份。国家集成电路基金亦为燕东微的股东之一，在后者设立时，其持股比例达18.84%，为第二大股东。随后，经过燕东微的多次增资、减资后，其持股比例有所下降。招股书显示，本次发行前后，国家大基金对燕东微的持股比例分别为11.09%和9.42%，为燕东微第三大股东。
最近一年内，燕东微股东北京电控、电控产投、京东方创投、京国瑞、亦庄国投、长城资管、联芯一号、联芯二号、联芯三号、联芯五号、联芯六号、联芯七号、联芯八号、联芯九号、联芯十号和联芯十一号以现金共计450,000.00万元增资燕东微。
据了解，燕东微计划募资40亿元，将分别用于“基于成套国产装备的特色工艺 12 吋集成电路生产线”与“补充流动资金”两个项目。基于成套国产装备的特色工艺12吋集成电路生产线项目实施主体为公司全资子公司燕东科技，投资75亿元，利用现有的净化厂房和已建成的厂务系统和设施，进行局部适应性改造，并购置三百余台套设备，建设以国产装备为主的12英寸晶圆生产线。该产线涉及建筑面积约16,000㎡（其中超净厂房面积9,000㎡），月产能4万片，工艺节点为65nm，产品定位为高密度功率器件、显示驱动IC、电源管理IC、硅光芯片等。在满足上述项目资金需求的同时，燕东微拟利用募集资金100,000.00万元补充流动资金。补充流动资金拟用于研发活动等，满足公司战略发展和对流动资金的需要。
根据招股书显示，2019年-2021年燕东微实现营收分别为10.41亿元、10.30亿元、20.35亿元，同期净利润分别为-1.76亿元、2,481.57万元、5.69亿元。扣非后净利润分别为-1.16亿元、-3,309.04万元、3.85亿元。值得注意的是，燕东微2019年及2020年扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的净利润及2019年归属于母公司所有者的净利润为负。此外，报告期内，燕东微研发投入占营业收入比例分别为9.17%、17.94%、7.98%。
报告期各期内，公司主营业务毛利率分别为21.68%、28.66%和40.98%，毛利率逐年提高。公司解释为毛利主要来自于特种集成电路及器件产品，该类产品客户黏性强、毛利率高。
报告期各期内，公司主营业务毛利率分别为21.68%、28.66%和40.98%，毛利率逐年提高。公司解释为毛利主要来自于特种集成电路及器件产品，该类产品客户黏性强、毛利率高。
产品与方案业务方面，经过多年积累，公司在多个细分领域布局，形成了系列化产品。公司数字三极管产品门类齐全、精度高，年出货量达20亿只以上；公司拥有从20V-100V的全电压射频工艺制造平台，可制造包括高频三极管、射频VDMOS、射频LDMOS在内的满足不同功率要求的高频器件，年出货量达4,000万只以上。
此外，公司拥有二十余年声学传感器领域元器件设计和制造经验，是国内主要的ECM前置放大器出货商，年出货量达20亿只以上，目前最薄产品厚度仅有0.3mm，可以支持客户对减少放大器体积、增大声腔空间的要求；此外，公司浪涌保护器件电容值最低可达0.2pF，广泛用于高速数据传输端口中，年出货量超55亿只，并实现了封装外形系列化；在特种领域，下属公司已在该领域深耕数十年，产品种类多，是国内重要的特种集成电路及器件供应商。
此外，公司拥有二十余年声学传感器领域元器件设计和制造经验，是国内主要的ECM前置放大器出货商，年出货量达20亿只以上，目前最薄产品厚度仅有0.3mm，可以支持客户对减少放大器体积、增大声腔空间的要求；此外，公司浪涌保护器件电容值最低可达0.2pF，广泛用于高速数据传输端口中，年出货量超55亿只，并实现了封装外形系列化；在特种领域，下属公司已在该领域深耕数十年，产品种类多，是国内重要的特种集成电路及器件供应商。
制造与服务业务方面，截至2021年12月，公司拥有6英寸晶圆制造产能超过6万片/月，8英寸晶圆制造产能达5万片/月，均已通过ISO9001、IATF16949等体系认证，具备为客户提供规模化制造服务能力。公司6英寸晶圆生产线已建成平面MOS、平面IGBT、BJT、TVS、JFET、SBD、FRD、模拟IC等工艺平台。公司8英寸晶圆生产线制造能力覆盖90nm及以上工艺节点，已建成沟槽MOSFET、沟槽IGBT、CMOS、BCD、MEMS等工艺平台，正在开发硅基光电子、红外传感器、RF CMOS等工艺平台，是国内重要的晶圆制造基地。公司以8英寸线建设运营为契机，率先实现了成套国产集成电路装备在8英寸生产线上的量产应用验证，为国产集成电路装备的规模化、成套化应用发挥了示范带动作用。
为了更好地满足市场需求，公司已启动基于成套国产装备的特色工艺12英寸集成电路生产线建设，产线工艺节点为65nm，产品包括高密度功率器件、显示驱动IC、电源管理IC、硅光芯片等，该建设项目已完成国家发改委窗口指导和项目备案、环评等相关手续，并已实现部分设备的购置与搬入。此外，公司已建成月产能1,000片的6英寸SiC晶圆生产线，已完成SiC SBD产品工艺平台开发并开始转入小批量试产，正在开发SiC MOSFET工艺平台。
关于未来发展战略，燕东微表示，未来三年（2023年-2025年）将围绕核心战略，不断强化晶圆制造能力和技术创新能力的提升。1、持续优化产品结构，提升6英寸和8英寸线产能；2、加大SiC等第三代半导体的研发并实现量产；3、完成硅基光电子工艺平台、热成像传感器工艺平台、硅基微显示电路工艺平台的建设并实现量产；4、持续巩固和扩大特种市场占有率；5、加快建设12英寸线，2023年实现12英寸线的量产，2025年实现12英寸线满产。
燕东微还表示，公司围绕国家战略需求，按照《北京市“十四五”时期高精尖产业发展规划》，抢抓我国集成电路产业发展的重要战略机遇期，以市场需求为导向，以技术创新、机制创新为动力，自主突破和协同发展相结合，加强产业链上下游协同，提升集成电路产业综合竞争力。公司面向AIoT、汽车电子、5G通信、工业互联网、超高清视频等应用领域，坚持高密度功率器件、显示驱动IC、电源管理IC、硅光芯片四大产品方向，坚持MorethanMoore+特色工艺的技术路线，坚持IDM+Foundry的商业模式，进一步提升设计、芯片制造、封测的能力，努力成为卓越的集成电路制造商和系统方案提供商。
