据悉，在IEEE国际固态电路（International Solid-State Circuits Conference, ISSCC）会议上，北京大学集成电路学院与人工智能研究院黄如院士——燕博南助理教授课题组关于存内计算的的学术文章《A 1.041Mb/mm2 27.38TOPS/W Signed-INT8 Dynamic Logic based ADC-Less SRAM Compute-In-Memory Macro in 28nm with Reconfigurable Bitwise Operation for AI and Embedded Applications》收录于“Session 11 存内计算与SRAM”专题（文章号11.7）。
据介绍，此工作提出高效的无ADC架构SRAM存内计算加速引擎，基于28nm工艺搭建模块可以达到27.38TOPS/W@INT8的高能效比，同时实现高达1.041Mb/mm2密度，达到国际领先指标并实现技术突破。
消息称，该工作合作者有北京苹芯科技有限公司、Neonexus Group与杜克大学。课题组获得了北京大学人工智能研究院、北京苹芯科技等资助。
