安世半导体(Nexperia)正式启动全新达拉斯设计中心

日期:2022-03-28 来源:TechWeb阅读:243
核心提示:安世半导体(Nexperia)近日宣布,其位于德州达拉斯的全新设计中心正式启动。值此成为独立实体五周年之际,这一举措标志Nexperia
安世半导体(Nexperia)近日宣布,其位于德州达拉斯的全新设计中心正式启动。值此成为独立实体五周年之际,这一举措标志Nexperia朝着2030年成为全球基础半导体领军企业的既定目标又迈出了重要的一步。
 
达拉斯设计中心是Nexperia在北美地区设立的第一家研发机构,专注于开发模拟信号转换和电源管理IC。新研发中心由Nexperia电源和信号转换业务部门总经理Irene Deng领导,她表示:“达拉斯设计中心代表了公司的一个关键里程碑,一方面是因为它体现了Nexperia在北美推进研究工作的决心,另一方面它还将助力Nexperia加强和扩展模拟IC产品组合、电源管理IC和信号调节IC。”
 
Nexperia为其新研发中心规划了宏伟蓝图,致力于到2023年底实现在岗员工数量增加到六倍。Nexperia模拟和逻辑IC业务部门总经理Dan Jensen表示:“在向Nexperia首席执行官张学政提交此份投资方案后,几乎立即就得到了批准。因为进入模拟市场与Nexperia产品组合转型战略不谋而合,有助于公司打造无可比拟的差异化综合产品。我从事半导体行业已有三十多年,但对这样雄心勃勃的发展计划仍然感到敬佩不已。”
 
为了抓住解决电源管理和信号转换需求的机会,Nexperia将通过更复杂和高功率的产品来强化和扩大其产品组合。随着新产品的加入,Nexperia将进一步提升凭借逻辑器件、分立器件和宽带隙半导体器件建立的强大品牌声誉。
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