近日，半导体功率器件厂商安建半导体获1.8亿元B轮融资，本轮融资由超越摩尔投资领投，弘鼎资本、龙鼎投资、联和资本、君盛投资和金建诚投资跟投。
本轮募集资金将主要用于高、低压MOS和IGBT全系列产品开发、第三代半导体SiC器件开发和IGBT模块封测厂建设。
官网显示，安建科技有限公司 (JSAB Technologies Limited) 是一家专门从事功率半导体元器件产品设计、研发及销售的高科技公司， 拥有由香港科技大学教授、大中华区唯一一位从事硅基功率半导体研究的美国电子电气工程师学会院士（IEEE Fellow）所领衔的业内顶尖技术团队，在2020年中国创新创业大赛中荣获全国赛优秀企业奖、广东省分赛区“新一代信息技术”产业大类第四名。
安建科技现有低电压的SGT-MOSFET（分裂栅金属氧化物场效应晶体管）、高电压的SJ-MOSFET（超结金属氧化物场效应晶体管）、Field Stop Trench IGBT（绝缘栅双极晶体管）三条成熟的产品线。高电压产品主要应用于高铁、电动汽车、新能源、工业控制等领域；低电压产品主要应用于5G基站、电能转换、绿色家电、消费电子等领域，安建科技的功率芯片得到了国内多家应用客户的认可，目前已经在众多领域稳定运行。
目前安建半导体的产品线已经涵盖大部分MOS管和IGBT产品，其中已有三条产品线实现量产，分别是低电压的SGT-MOS管（屏蔽栅金属氧化物场效应晶体管）、高电压的SJ-MOS管（超结金属氧化物场效应晶体管）、Field Stop Trench IGBT（场截止沟槽型绝缘栅双极晶体管），产品均具有高性能高可靠性。
未来，安建半导体还将针对不同应用场景还将继续开发不同性能和不同规格的产品，实现功率器件所有电压和电流全覆盖，完成做全系列高低压MOS管和IGBT产品的目标。同时，安建半导体还计划推出车规级产品，目前正在与上海汽车商谈战略合作，研发应用于其新能车的IGBT产品。
安建半导体还希望打通制造环节，计划在未来组建模块制造厂，采用一种虚拟IDM模式，再和晶圆制造厂做绑定合作。
