云南锗业：以大直径低位错密度锗、砷化镓、磷化铟、碳化硅单晶材料制备及其应用为重点研究方向

近日，云南锗业在投资者互动平台上表示，公司与中科院半导体所成立了联合实验室，主要以大直径低位错密度锗、砷化镓、磷化铟、碳化硅单晶材料制备及其应用为重点研究方向，深入开展锗、砷化镓、磷化铟、碳化硅单晶材料生长制备技术、材料物性检测分析、光电子微电子器件研发等应用技术等方面的研究。

 

此外，关于6英寸砷化镓晶片，公司正在对原有的部分产能进行改造，力图实现6英寸砷化镓晶片的量产能力，目前正在接受客户的认证，待认证完成后，公司会根据实时市场情况确定改造规模。