更高质量和更大直径的 GaN 衬底对于氮化物（GaN）功率器件的实际应用至关重要。近日，丰田合成官网宣布，他们与大阪大学合作，成功制造出应用于功率半导体的6英寸GaN衬底。
资料显示，丰田合成参与了日本环境省牵头的项目，并与大阪大学合作利用Na-flux方法生产6英寸的高质量GaN 衬底。NaFlux法是将氮气喷到钙和钠的混合溶液中，令氮溶解制成GaN结晶。
丰田合成表示，6英寸功率半导体氮化镓衬底的研发得益于早期LED氮化镓衬底技术的积累。
根据文献，丰田合成为了开发6英寸氮化镓单晶，采用了钠助溶剂和MVPE两种方法。钠助溶剂法是为了生长高质量籽晶，而MVPE是为了生长氮化镓单晶。
丰田合成先使用钠助溶剂法在蓝宝石衬底上生长了多籽晶衬底（MPS）。据介绍，他们已制造出直径8 英寸的MPS衬底，正在开发10英寸级大直径MPS衬底。
据介绍，2021年10月，他们已经成立了一家风险投资公司“teamGaN”，使用这项GaN衬底制造技术，为功率器件开发提供 GaN 衬底。
