第三代半导体氮化镓功率器件，在快充等消费领域中获得了广泛的应用。但随之而来的高频磁芯材料制造及成本，也限制了氮化镓器件冲击高频的步伐，开关频率始终没有突破兆赫兹。对工业应用领域的开关电源来说，能够在有限的体积内提升效率，提高功率密度，也逐渐成为人们的共识。在大功率开关电源中应用芯冠CASCODE结构氮化镓器件，可以使用传统硅MOS的控制芯片，同时CASCODE结构氮化镓器件，相比传统硅器件具有更低的开关损耗和栅极电荷，氮化镓高频低损耗的优势可以得到充分发挥，为节能减排贡献力量。
大连芯冠科技有限公司是采用IDM模式，从事以氮化镓为代表的第三代半导体外延材料、晶圆研发及器件设计的制造商，产品应用于电源管理、太阳能逆变器、电动汽车及工业马达驱动等领域。公司已与国内多家半导体功率器件及下游电源厂商展开深入合作，开发基于氮化镓器件的新一代各类电源产品，包括新能源汽车车载充电机、数据中心服务器电源和高端电机驱动等。提供650V/900V多规格的功率器件产品，电源功率的应用覆盖几十瓦到几千瓦范围。芯冠氮化镓功率器件的特点是兼容标准MOS驱动，应用设计简单，只需配合栅极电阻调节开关速度，引脚套磁珠抑制EMI干扰；抗击穿电压高达1500V以上，使用安心。
近日，大连芯冠科技推出了两款新的CASCODE结构氮化镓开关管，GaN均为D-MODE耗尽型，其中XG65T300HS2A为DFN8*8贴片封装，耐压650V，导阻240mΩ。XG90T150PS2A为TO220封装，耐压900V，导阻150mΩ。两款氮化镓开关管均支持20V栅极电压，保证了功率开关管在导通状态下电阻最小，且器件栅压有足够的裕量来应对开关过程中的电压过冲等不利因素，避免造成器件的潜在损伤和失效。
大连芯冠科技XG65T300HS2A是一款DFN8*8封装的氮化镓开关管，额定耐压650V，瞬态耐压达1100V。可使用传统的栅极驱动器进行驱动，具有低恢复电荷和开关损耗，适用于高效USB PD快充，高效开关电源等应用。
大连芯冠科技XG90T150PS2A是一款TO220封装的氮化镓开关管，额定耐压900V，瞬态耐压达1700V，导阻150mΩ，采用TO220封装，具有更低的封装热阻，固定在散热片上支持更高的功率输出。
芯冠科技推出的D-MODE氮化镓开关管，适用于小功率PD快充等消费类领域，大功率开关电源，电信及数据中心应用，马达驱动及汽车应用等领域。
