市调机构Yole Développement数据显示，2021年全球3D封装前七大企业资本支出合计达119亿美元，英特尔、台积电、日月光分别排名前三，中国大陆长电科技、通富微电上榜。
公司到2021年先进性能封装资本支出。资料来源：Yole Developpement。
市场分析师表示，这旨在帮助这些公司服务于2021年价值约27.4亿美元的此类封装市场。到2027年，该市场的价值将以19%的复合年增长率增长。Yole预测，届时先进封装市场的价值将在当年达到78.7亿美元。
2021 年，英特尔是投资35亿美元支持Foveros和EMIB（嵌入式多芯片互连桥）技术的最大投资者。Foveros是英特尔的3D芯片堆叠技术，包括在有源硅中介层上堆叠芯片。它的2.5D封装使用基于55微米凸块间距的EMIB。Foveros和EMIB的结合催生Co-EMIB（Foveros（有源 Si 中介层）+ Embedded Multi- die 互连桥），它已用于Ponte Vecchio图形处理器。
另一个领先者是代工台积电，它在2021年在封装资本支出上花费了30.5亿美元。
台积电正在为3D片上系统组件定义新的系统级路线图和技术。其CoWoS平台提供硅中介层，而其LSI平台是EMIB的直接竞争对手。
日月光斥资 20 亿美元资本支出，是最大也是唯一一家试图与代工厂和集成设备制造商竞争的纯封装公司。凭借其FoCoS（扇出芯片基板）产品，日月光也是目前唯一具有超高密度扇出解决方案的 OSAT（包半导体组装和测试）。
排名第四的三星资本支出为15亿美元，其拥有类似于CoWoS-S（基板上晶圆上的芯片）的I-Cube技术。三星是 3D 堆叠内存解决方案的领导者之一，提供高带宽内存 (HBM) 和 3DS。它的 X-Cube 将使用混合键合互连。
安靠、长电科技和通富微电分别以7.8亿美元、5.93亿美元、4.87亿美元排名第五、第六、第七。目前来看，OSAT的财务和前端能力无法在先进封装竞赛中与英特尔、台积电和三星等大公司并驾齐驱。
