半导体产业网消息：2022年3月4日，记者从国家科技管理信息系统公共服务平台获悉，科技部发布了《关于征求“十四五”国家重点研发计划“煤炭清洁高效利用技术”等24个重点专项2022年度项目申报指南意见的通知》，向社会征求意见和建议。征求意见时间为2022年3月3日至2022年3月9日。
据了解，本次共涉及“煤炭清洁高效利用技术”“氢能技术”“可再生能源技术”“储能与智能电网技术”“交通基础设施”“交通载运装备与智能交通技术”“新能源汽车”“多模态网络与通信”“区块链”“微纳电子技术”“先进计算与新兴软件”“信息光子技术”“高性能计算””网络空间安全治理”“智能传感器”“工业软件”“高性能制造技术与重大装备”“增材制造与激光制造”“智能机器人”“先进结构与复合材料”“高端功能与智能材料”“新型显示与战略性电子材料”“稀土新材料”“文化科技与现代服务业”等24个重点专项，具体内容需要各单位登录”国家科技管理信息系统公共服务平台”，在”公开公示-指南意见征集”菜单栏中查看指南意见征集材料。
本次征求意见重点针对专项指南方向提出的目标指标和相关内容的合理性、科学性、先进性等方面听取各方意见和建议。请于3月9日前将建议或意见发送到科技部通知中的指定邮箱（需要各单位登录账号才能查看）。科技部将会同有关部门、专业机构和专家，认真研究收到的意见和建议，修改完善相关重点专项的项目申报指南。征集到的意见和建议，将不再反馈和回复。
以“十四五”国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重点专项2022年度项目申报指南（征求意见稿）为例，对新型显示材料与器件（12个）、第三代半导体材料与器件（19个）、大功率激光材料与器件（7个）、前沿电子材料与器件（5个）、青年科学家项目（15个）五大类，共计58个科研课题项目，对每个研究课题的研究内容及考核指标作出了明确要求。
在关于新型显示材料与器件方面，共设8项共性关键技术和4项典型应用示范项目。设有：柔性显示用无镉无铅量子点发光显示关键材料及器件研究（共性关键技术，部省联动），基于计算-实验- 数据融合的高光效窄谱带蓝光OLED/QLED 发光材料与器件研究（基础前沿技术），柔性显示用聚酰亚胺新材料关键技术（共性关键技术），柔性显示加工关键装备工艺技术开发（共性关键技术）， OLED 显示玻璃材料关键技术开发（典型应用示范）， 面向AR 应用的高像素密度Micro-LED 微显示关键技术（共性关键技术）， 高亮度Micro-LED 投影显示关键技术研究（共性关键技术），柔性Micro-LED 显示关键技术研究（共性关键技术，部省联动），近零功耗彩色电子纸显示材料与柔性显示器件（典型应用示范），全印刷薄膜晶体管（TFT）与电场调控驱动技术（共性关键技术），集成屏下摄像头等传感技术的柔性显示微系统应用示范（典型应用示范，部省联动）和 LTPO 技术应用示范（典型应用示范）12个研究课题。
在第三代半导体材料与器件方面，共布局8个共性关键技术、5个基础前沿技术和6个典型应用示范项目。包括：抗辐射SiC 基功率电子器件及其在航天电源中的应用（共性关键技术），面向轨道交通和智能电网应用的高压SiC 基功率电子材料和器件（典型应用示范），面向工业电机应用的GaN 基功率电子材料与器件（共性关键技术），GaN 基纵向功率电子材料与器件研究（基础前沿技术），GaN 基互补型逻辑集成电路技术的基础研究（基础前沿技术），高频宽带移动通信用滤波器关键技术研究（典型应用示范），InGaN 基长波段LED 关键技术（共性关键技术，定向委托），面向现代农业高效种养需求的LED 技术及其示范应用（典型应用示范，部省联动），面向生殖健康医疗需求的LED 技术及专用系统研制（典型应用示范），大功率深紫外AlGaN 基LED 发光材料与器件产业化关键技术（典型应用示范），高灵敏度宽禁带半导体紫外探测器及多元成像技术（共性关键技术），面向公共卫生等领域的深紫外LED 模组和装备开发及应用示范（典型应用示范），波长短于250 纳米的AlGaN 基深紫外LED、紫外激光材料与器件关键技术（共性关键技术），GaN 单晶衬底材料制备产业化技术（共性关键技术），AlN 单晶衬底制备和同质外延关键技术（共性关键技术），镓系宽禁带半导体异质结构材料基因工程和信息感知器件（基础前沿技术），大尺寸氧化镓半导体材料与高性能器件研究（共性关键技术），面向器件研制的大尺寸金刚石半导体材料制备和高效掺杂（基础前沿技术）和氮化物宽禁带半导体强耦合量子结构材料和器件（基础前沿技术）在内19个研究课题。
在大功率激光材料与器件方面，布局有3个共性关键技术、1个基础前沿技术和3个典型应用示范项目。包括：大尺寸激光晶体材料制备的关键技术与应用研究（共性关键技术），晶体薄片加工及新一代增益器件制备（基础前沿技术），光纤激光器用高性能激光光纤（典型应用示范），高损伤薄膜光学器件及大口径光栅制备及工艺研究（共性关键技术），高性能SESAM 材料器件关键技术（典型应用示范），重频宽带大脉冲能量激光技术研究（共性关键技术）和千瓦级高功率特种光纤激光器（典型应用示范，部省联动）7个研究课题。
在前沿电子材料与器件方面，布局有4个共性关键技术和1个基础前沿技术。量子点纳米像元发光显示（QD-NLED）关键技术（共性关键技术），集成成像光场显示关键技术（共性关键技术），高频大带宽射频滤波关键材料与器件技术（共性关键技术），中红外气体检测材料与器件关键技术及应用（共性关键技术），垂直沟道铟镓锌氧场效应晶体管动态随机存储器（DRAM）技术研究（基础前沿技术）5个研究课题。
在青年科学家项目方面，布局有新型镓化合物量子点发光材料研究，柔性双栅氧化物TFT 器件与电路研究，基于原子层沉积氧化物半导体薄膜晶体管的Micro-LED 驱动研究，高动态彩色激光全息三维显示关键技术研究，高折射高透明聚环烯烃关键材料与聚合反应研究，高性能长寿命晶态蓝光OLED 器件研究，大功率低插损GaN 基开关关键技术，高维多自由度涡旋光场的调控机理与调控技术，高功率连续啁啾激光远距离单光子差分测距技术，大功率高频段太赫兹激光器研究，基于线性单光子过程的极紫外相干光源研究，基于范德华外延的柔性氮化物纳米发光器件及显示阵列研究，虚实融合真3D 显示机理与关键材料研究，基于阻变存储器件的神经网络脉冲动力学研究和新型铪基铁电材料与器件集成技术研究在内15个研究课题。
备注：请各单位登录国家科技管理信息系统公共服务平台查看相关项目申报指南。网址：https://service.most.gov.cn/index/
