据介绍，碳化硅材料已成为全球半导体产业战略竞争的新高地，对实现“双碳”具有重要的战略意义。因碳化硅具备高禁带宽度、高热导率、高击穿场强、高电子饱和漂移速率等优点，更适合开发具有耐高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等优势的功率半导体器件，可有效突破传统硅基材料的物理极限，已成为我国重点发展的战略性先进半导体。
2021年9月，中电科二所建设了碳化硅芯片mini线，并负责整线运行和维护。针对整个项目时间紧、任务重的情况，研究所凭借自身的行业影响力和资源调配能力，在水、电、气等配套条件完成后的30日内，完成单机设备调试、碳化硅整线工艺调试，并成功产出碳化硅芯片，创造了山西速度。
中电科二所有关负责人表示，该项目的成功是落实我省“十四五”规划将半导体产业打造成新支柱产业取得的阶段性重大成果，也代表着我省向半导体领域转型发展道路上的一个重要进展。下一步，研究所将全力以赴推进实验室二期碳化硅芯片中试线和碳化硅器件智能封装线的建设。
