以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料逐渐崭露头角，凭借其高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能，展现巨大的市场前景，正成为全球半导体市场争夺的焦点，国内外第三代半导体技术、产品、市场、投资均呈现较高增长态势。
近几年，整个第三代半导体产业正在释放出国际企业大力完善第三代半导体产业布局，强化竞争优势以抢夺日渐增长的市场份额的信号。上下游企业纷纷开始绑定产能，以应对未来的市场爆发。第三代半导体产业格局逐渐迎来空前重构和变化，产业链布局正在加速。
近日，多家国内企业都在第三代半导体器件领域发布最新动态，比如：
美国GaN功率半导体厂商Transphorm纳斯达克上市 拥有超1000项专利组合
美国GaN功率半导体厂商Transphorm纳斯达克上市 拥有超1000项专利组合
日前，美国氮化镓（GaN）功率半导体厂商Transphorm正式在纳斯达克上市交易。资料显示，Transphorm成立于2007年，部位于美国加州戈利塔，并在戈利塔和日本会津设有制造工厂，致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件，其产品已广泛应用于服务器电源、游戏机、电动汽车等大功率电源上，拥有超过1000项专利组合。
英飞凌投资20亿欧元扩产第三代半导体
2月17日，功率半导体龙头制造商英飞凌表示，将投资20亿欧元（约合22.7亿美元）提高在宽带隙（SiC 和 GaN）半导体领域的制造能力。英飞凌表示，将在位于马来西亚居林的工厂建造第三个厂区，以大幅增加产能，通过在宽带隙（SiC 和 GaN）半导体领域增加显着的制造能力，英飞凌正在加强其在功率半导体领域的市场领导地位。一旦配备齐全，新厂区将通过基于碳化硅和氮化镓的产品产生 20 亿欧元的额外年收入。为当地带来900个工作岗位。新厂区主要涉及外延工艺和晶圆切割等关键工艺，将于6月开始施工，预计第一批晶圆将于2024年下半年下线。
士兰微9亿元加码12英寸芯片制造
2月21日士兰微发布公告，公司拟与国家集成电路产业投资基金二期(以下简称“大基金二期”)以货币方式共同出资8.85亿元，认缴士兰集科本次新增注册资本8.27亿元，增资价款将用于24万12英寸高压集成电路和功率器件芯片技术提升及扩产项目。
国星光电：氮化镓和碳化硅器件已进入产业化阶段，十亿扩产产能正逐步释放
2月21日，国星光电在投资者互动平台上表示，目前公司主要生产研发器件，目前氮化镓和碳化硅器件已进入产业化阶段，陆续有在出货中。国星光电表示，公司Mini LED 产品可应用于相关领域。氮化镓和碳化硅领域公司主要生产研发器件，目前氮化镓和碳化硅器件已进入产业化阶段，陆续有在出货中。其中碳化硅主要面向的是充电桩、光伏逆变、UPS电源等领域客户。氮化镓主要面对的是PD快充相关领域的客户。此外，子公司国星半导体在硅基氮化镓衬底技术方面具有一定研发储备。
英诺赛科完成近30亿元D轮融资
2月17日，半导体晶圆片及芯片研发商英诺赛科完成近30亿元D轮融资，本轮融资由钛信资本领投，毅达资本、海通创新、中比基金、赛富高鹏、招证投资等机构跟投。英诺赛科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业。公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。公司的主要产品涵盖从低压到高压（30V-650V）的氮化镓功率器件，目前与小米、OPPO、比亚迪、安森美、MPS等国内外厂商开展应用开发合作。
致瞻科技碳化硅项目签约浙江嘉善 总投资10亿元
致瞻科技（上海）有限公司将在浙江嘉善投资10亿建设碳化硅项目，用于开发新能源车用碳化硅半导体电控器件。该项目总投资10亿元，其中，一期力争今年3月进场施工，10月实现试生产；一、二期全部达产后预计可实现年产值50亿元。致瞻科技成立于2019年，是聚焦中高端碳化硅驱动及应用的高科技公司。
露笑科技碳化硅长晶炉已有112台安装完毕，碳化硅衬底片已形成销售
露笑科技2月21日表示，目前公司碳化硅长晶炉已有112台安装完毕，碳化硅衬底片已形成销售。到2022年6月底，公司将有224台长晶炉投入生产中。露笑科技表示，公司本次非公开发行股票募集资金总额不超过 294,000 万元，用于“第三代功率半导体（碳化硅）产业园项目”、“大尺寸碳化硅衬底片研发中心项目”和“补充流动资金”项目，有利于丰富公司产品线，提升公司核心竞争力，拓展新的利润增长点，以及优化资产负债结构，提升公司财务运营质量。
4月20-21日，半导体产业网、半导体照明网、第三代半导体产业联合励展博览集团，在NEPCON China 2022 期间举办为期两天的“2022第三代半导体器件与封装技术产业高峰论坛”。我们将依托强大背景及产业资源，致力于先进半导体技术推广、创新应用及产业链间的合作，为科研机构、高校院所、芯片面板及终端制造，上游及材料设备搭建交流协作的桥梁。大会将聚焦第三代半导体器件与封装技术最新进展，针对SiC功率器件先进封装材料及可靠性，硅基氮化镓功率器件、可靠性测试等等，邀请产学研用资多领域优势力量，探讨最新进展，促进第三代半导体器件与封装技术发展。
NEPCON China 2022致力于将先进封装、半导体、新型显示等热门行业与最新的PCBA技术趋势融合一站式呈现。展会将汇聚600个企业及品牌展示PCBA全球首发新品，包括表面贴装（SMT）、智能工厂及自动化技术、点胶喷涂、测试测量、半导体封测、电子制造服务（EMS)等展区。展会将发挥行业口碑力量，扩大邀请至35,000名来自光电、照明、汽车、通信、服务器、大型工控产品、医疗等行业的高端电子制造买家莅临体验行业首发产品、获知前沿技术与方案、会见上下游业务伙伴。
会议主题：协同创新 产业共赢
会议时间：2022年4月20-21日
会议地点：上海·上海世博展览馆-NEPCON论坛区
主办单位：
中国国际贸易促进委员会(CCPIT)
励德展览集团
半导体产业网
半导体照明网
承办单位：
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
日程安排（拟）：
日程安排（拟）：
备注：报告嘉宾正在陆续确认中，欢迎大家提交更多主题方向报告，共同促进MiniLED产业的繁荣发展。提交报告、现场演讲、参会参展、对接合作、进实名交流群等欢迎咨询下方联系人。
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