存储器市场除了最为人熟知的内存DRAM和闪存NAND FLASH、NOR FLASH外，近年来，能够突破性能与技术瓶颈的第四代存储器/新型存储器，如PCM（相变存储器）、FeRAM（铁电存储器）、MRAM(磁性存储器)及ReRAM(阻变存储器)逐渐受到市场的关注。而在四种新型存储器中，ReRAM在密度、工艺制程、成本和良率上的优势使其备受企业和市场青睐。
日前，由昕原半导体（杭州）有限公司（以下简称“昕原半导体”）主导建设的大陆首条28/22nm ReRAM（阻变存储器）12寸中试生产线顺利完成了自主研发设备的装机验收工作，实现了中试线工艺流程的通线，并成功流片（试生产）。
公开资料显示，昕原半导体专注于ReRAM领域，是一家集核心技术、工艺制程、芯片设计、IP授权和生产服务于一体的新型IDM公司。该公司的核心产品覆盖高工艺嵌入式存储、高密度非易失性存储、存内计算及存内搜索等多个领域。
早前在2021年4月，昕原半导体官方表示，业界首款28nm制程ReRAM芯片流片成功。据悉该芯片主要应用于防伪认证，也应用于移动设备的各种配件、家电、电子烟等AIoT的广大市场，且已与行业内头部厂商达成合作意向。
据悉，新型存储器需要在传统CMOS工艺里增加一些特殊的材料或工艺，这些特殊材料或工艺的开发则需要经过大量实验及测试验证。而由于传统CMOS代工厂受限于资源紧缺或迭代速度较慢，工艺开发速度大大减缓。此次昕原自行搭建的28/22nm ReRAM 12寸中试生产线使得ReRAM相关产品的快速实现变成了可能。
公开资料显示，目前Crossbar、昕原半导体、松下、Adesto、Elpida、东芝、索尼、美光、海力士、富士通等厂商都在开展ReRAM的研究和生产，其中专注IP授权的Crossbar对于ReRAM的基础技术研发走在了前列。
