近日，中国电子科技集团第二研究所（以下简称“中电科二所”）传来好消息，科研团队在SiC激光剥离设备研制方面，取得了突破性进展。
据报道，目前，中电科二所科研团队已掌握激光剥离技术原理与工艺基础，并利用自主搭建的实验测试平台，结合特殊光学设计、光束整形、多因素耦合剥离等核心技术，实现了小尺寸SiC（碳化硅）单晶片的激光剥离。
据介绍，SiC半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、化学性能稳定等优点，对电动汽车、高压输变电、轨道交通、通讯基站、卫星通讯、国防军工等领域的发展有重要意义。
但是，因SiC材料硬度与金刚石相近，现有的加工工艺切割速度慢、晶体与切割线损耗大，成本较高，导致材料价格高昂，限制了SiC半导体器件的广泛应用。
激光垂直改质剥离设备被誉为“第三代半导体中的光刻机”，科利用光学非线性效应，使激光穿透晶体，在晶体内部发生一系列物理化学反应，最终实现晶片的剥离。这种激光剥离几乎能避免常规的多线切割技术导致的材料损耗，从而在等量原料的情况下提升SiC衬底产量。此外，激光剥离技术还可应用于器件晶圆的减薄过程，实现被剥离晶片的二次利用。
中电科二所聚焦第三代半导体关键核心技术和重大应用方向，以解决SiC衬底加工效率这一产业突出难题为目标，将SiC激光剥离设备列为重点研发装备，借此实现激光剥离设备国产化，力争使其具备第三代半导体核心装备研发、产业化和整线装备解决方案的能力。
目前，这一研发项目已通过专家论证，正式立项启动，下一步将依托国家第三代半导体技术创新中心，汇聚科研优势力量，聚焦激光剥离技术的实用化与工程化，积极推进工艺与设备的协同创新，研发快速生产化、全自动化、低能耗化的激光剥离设备。
