宗艳民领导下的天岳先进科技经过多年的深耕不辍，已经成长为一家实力卓越的细分领域龙头公司，公司掌握了宽禁带半导体材料碳化硅单晶生长和衬底加工的核心技术，实现了碳化硅衬底材料的产业化，是国家制造业单项冠军示范企业、国家专精特新“小巨人”企业。截至2021年6月末，拥有授权专利332项。
对于“创新”，宗艳民深有感触。“我们是一个科技企业，动员大会上提到的十大创新前两个，第一个是科技创新，第二个是人才创新，公司成立之初，我们就是始终坚持创新为本，只有技术领先了，才是我们最强的生命力。”
宗艳民介绍，天岳先进主要研发领域是半绝缘型和导电型碳化硅衬底。碳化硅衬底处于宽禁带半导体产业链的前端，是前沿、基础的核心关键材料，和传统材料相比，碳化硅具有优异的物理性能，可以耐受更高的工作温度，保持设备稳定运行。半绝缘型碳化硅衬底应用于信息通讯、无线电探测等领域，而导电型碳化硅衬底能极大地提高能源转换效率，在电动汽车、充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等领域应用广泛。
十年磨一剑：从无到有再到“独角兽”
闪电新闻记者了解到，碳化硅单晶在自然界极其稀有，几乎不存在。只能依靠人工合成制备。目前工业生产碳化硅衬底材料以物理气相升华法为主，这种方法需要在高温真空环境下将粉料升华，然后通过温场的控制让升华后的组分在籽晶表面生长从而获得碳化硅晶体。整个过程在密闭空间内完成，有效的监控手段少，且变量多，对于工艺控制精度要求极高。
宗艳民表示， “做实验失败比成功的多，这个还是要坚持，坚定目标，确定目标，围绕目标，再难也要去努力。” 自2010年天岳先进科技成立，宗艳民和团队一直走在实验的路上，由于没有国外资料，他们只能一次次试错。通过五六年间数千次的实验，直到2017年，企业才终于实现了碳化硅半导体衬底的量产。 碳化硅衬底的尺寸也从最小的两寸，到后来的四寸、六寸，直至目前正在研发的八寸。每一次碳化硅衬底尺寸突破的背后，是数千次的籽晶排列实验。虽然困难重重，宗艳民始终坚持，“再难不能难研发”。
从实验室技术到产品，中间隔着千山万水。宗艳民介绍，碳化硅晶体生长完毕到投入使用，需要经历切割、研磨、清洗检测三道工序。由于碳化硅的硬度仅次于金刚石，属于高硬脆性材料，因此切割过程耗时久，易裂片，这些都是需要攻克的技术难关，“每一个工艺窗口我们都经过大量的工程化实验。”
多年研发路，让宗艳民意识到，技术走出实验室顺利落地需要专业人才支持。“人才引进”是宗艳民坚持的第二条路子。“今年陆续有在美国硅谷的留学生和日本归国留学生博士加入，和国外的一些大学和研发机构开展合作，比如和丹麦的阿尔堡大学，日本的名古屋大学，荷兰的戴尔夫斯大学等。”目前，天岳先进科技建有“碳化硅半导体材料研发技术”国家地方联合工程研究中心、国家博士后科研工作站、山东省碳化硅材料重点实验室，拥有80余人的研发团队，研发人员比例占公司员工的20%。
历年来，山东天岳先进科技先后承担了国家重点研发计划项目、国家重大科技成果转化专项等多项国家和省部级项目，走在国内碳化硅衬底领域前列。
十年技术储备，拥抱市场蓝海
“我们经过了11年的技术攻关，我们的研发团队攻克了一系列的国际技术难题，现在能够全面掌握一些核心技术，为下一步大发展奠定了坚实基础。”
目前，碳化硅衬底在5G、雷达等领域应用广泛，而在以电动汽车、充电桩、轨道交通电网为代表的电力电子领域，碳化硅衬底也将随着电气化的发展而得到广泛应用。“按现在双碳目标，每年碳化硅衬底需求都在千万片级，这是一个巨大的蓝海市场。我们有10余年的技术储备，我们要迎接好大爆发。”
作为碳化硅衬底领域的领军企业，天岳先进科技实现了核心战略材料的自主可控，有力保障国内产品的供应，确保我国宽禁带半导体产业链的平稳发展。根据国际知名行业咨询机构Yole的统计，2019年及2020年公司已跻身半绝缘型碳化硅衬底市场的世界前三。
宗艳民表示，“坚持创新是不变的追求”，在未来会一如既往的深耕行业，持之以恒推进创新，让创新的火焰熊熊不息，实现既定目标，完成宏大愿景，赢得行稳致远的宽广未来。
来源：齐鲁网·闪电新闻 记者 郎坤
