发挥国家集成电路设计济南产业化基地、青岛崂山微电子产业园、中德生态园集成电路产业基地、淄博齐鲁智能微系统创新产业基地、济宁省级信息技术产业基地等集聚优势,山东提出构建“5+N”区域布局:济南打造基于SiC基功率半导体器件生产集聚区,建成国内领先的第三代半导体产业基地;青岛以发展第三代半导体材料、芯片及器件设计、制造、封测为重点;济宁发展上游SiC、GaN衬底、外延材料生产制造产业,中游发展第三代半导体分立器件、功率器件及功能芯片产业,延链发展下游芯片封装测试产业,打造第三代半导体产业生产制造基地;潍坊布局第三代半导体材料、器件的研发;淄博围绕工业控制、新能源汽车、光伏发电、储能等领域重点加快车用、充电桩用、新能源用芯片制造的产业化,促进SiC模块封装规模化;其他市依托本地产业发展基础和特色,突出差异化发展,加强同重点市的协调联动。
符合条件的产业链重点项目优先纳入山东省新旧动能转换重大项目库,充分利用好新旧动能转换政策进行重点扶持;围绕SiC、GaN等晶体材料、功率器件和模块、照明与显示器件和下游应用等产业链关键环节,培育壮大细分行业领军企业。
围绕半导体照明、激光器、电力电子器件、高频宽带等具有市场潜力的领域,山东将组织开展第三代半导体产品应用试点示范,加快市场渗透,提升国产化率,推动上中游产品在下游应用的快速验证,形成以用兴业的良性循环。
据介绍,山东现拥有第三代半导体企业20余家,2020年实现主营业务收入38.7亿元,已逐步形成了衬底材料、外延材料、芯片设计、器件制造与封测等较为完整的产业链。其中山东天岳是我国最大的SiC单晶材料供应商,浪潮华光在外延材料生长、芯片制备及器件封装具有完备的产业基础,为我省发展第三代半导体产业奠定了坚实基础。目前,山东SiC、GaN等外延及芯片生产线正处于起步阶段。