2021年5月，吉利携手芯聚能、芯合科技合资成立芯粤能，布局SiC芯片制造。
2021年11月，北汽投资参投瞻芯电子，加码SiC MOSFET。
2021年12月，长城汽车入股同光股份，投资SiC衬底材料。
2022年1月5日，上汽、广汽及小鹏等车企出现在天岳先进IPO战略配售名单中出现。
2022年1月20日，广汽旗下子公司广汽零部件与株洲中车时代合资设立广州青蓝半导体有限公司，围绕新能源汽车自主IGBT开展技术研发和产业化应用。
目前国内相对高端的功率半导体器件主要依赖进口，汽车产业链对此依赖程度尤为突出。
据悉，自2001年以来，SiC二极管、SiC-BJT、SiC-MOSFET及GaN-HEMT等宽禁带的第三代半导体产品相继开发成功并量产。第三代半导体功率产品的主要特点是禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、抗辐射能力强、发光效率高、频率高，可广泛用于通讯、汽车、航空航天等高功率领域。
同时，IGBT等功率半导体器件是充电桩电源模块必不可少的部分。随着新能源汽车的普及，电动车充电桩需求提升也将带动功率半导体需求增长。
为了加速发展国内半导体行业，在政策方面，国务院于2020年8月印发《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》从财税、投融资、研究开发等全面支持半导体行业的发展。
在资金层面，国家集成电路产业基金(简称大基金)一期、 二期也先后于2014年、2019年成立，其中大基金一期募资金额1387亿元，大基金二期注册资本2041.5亿元。在大基金及其所撬动的社会资本的投资带动下，包括 IGBT在内的集成电路产业取得了良好发展。
首创证券认为，“车企积极入局，也加速了IGBT和SiC等功率半导体国产化。新能源汽车是未来IGBT和SiC最大的下游应用领域。半导体技术的迭代和发展离不开下游应用领域的快速发展。新能源汽车作为下游新兴应用领域，国内企业与海外品牌相对而言站上了同一起跑线，在下游车企的大力支持下，我国功率半导体厂商有望加速实现国产化替代。”
