为抢抓第三代半导体产业发展战略机遇，培育发展新兴产业，打造国内领先的第三代半导体产业高地，根据《山东省国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》、《山东省新一代信息技术产业专项规划（2018-2022年）》和《山东省“十四五”制造强省建设规划》，山东省工信厅近日出台《山东省第三代半导体产业发展“十四五”规划》，《规划》提出，到2025年，山东省第三代半导体产业链链条完善，关键核心技术自主可控，保持第三代半导体关键材料市场领先地位。培育壮大产业带动能力强的链主企业，提升芯片和器件设计能力，扩大应用场景，实现协同发展，打造百亿级国家第三代半导体产业高地。
山东省第三代半导体产业发展现状
经过多年发展，山东省第三代半导体产业形成了一定的产业基础，极具发展潜力，拥有第三代半导体企业20余家，2020年实现主营业务收入38.7亿元,主要呈现以下特点。
创新能力稳步提升。以山东大学为代表的高校和研究院所承担了“973”、“863”等重大工程，科技支撑计划、“核高基”等国家重大项目，拥有第三代半导体材料和器件等多项高水平原创性成果积累，成功制备了世界首枚硅基GaN垂直结构金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）及单片集成功率模块，掌握了最新一代垂直结构功率器件及模块制备的核心技术，填补了国内在第三代半导体垂直结构功率器件及模块方面的空白。山东天岳已经全面攻克SiC晶体生产、衬底加工核心技术，SiC衬底产品性能达到国际先进水平。山东省建有“碳化硅半导体材料研发技术”国家地方联合工程研究中心、新一代半导体材料集成攻关平台、晶体材料国家重点实验室、“半导体发光材料与器件”国家地方联合工程实验室、国家企业技术中心等国家级科研平台，山东大学、青岛科技大学等高校微电子学院的半导体相关专业积极推动教学创新和校企合作，为山东省开展第三代半导体研发工作提供了良好的人才储备和条件保障。
产业链条逐步完善。山东在第三代半导体领域已经逐步形成了衬底材料、外延材料、芯片设计、器件制造与封测等较为完整的产业链，山东天岳是我国最大的SiC单晶材料供应商，浪潮华光在外延材料生长、芯片制备及器件封装具有完备的产业基础，为山东省发展第三代半导体产业奠定了坚实基础。
融合应用日益深入。山东省在轨道交通牵引变流器、变频逆变、家用电器、新能源汽车、光伏发电等领域拥有一定实力的企业，在汽车电子和家用电器方面，产业融合度不断加深。随着济南比亚迪半导体有限公司、芯恩（青岛）集成电路有限公司、青岛惠科微电子有限公司、淄博美林电子有限公司的功率半导体芯片器件产线的建设和投产，将对第三代半导体材料的需求形成新的牵引。
到2025年，第三代半导体产业产值达到300亿元
《规划》提出，到2025年，山东省第三代半导体产业链链条完善，关键核心技术自主可控，保持第三代半导体关键材料市场领先地位。培育壮大产业带动能力强的链主企业，提升芯片和器件设计能力，扩大应用场景，实现协同发展，打造百亿级国家第三代半导体产业高地。
--创新能力显着增强。引进并培养一批高端人才，壮大人才队伍，建成第三代半导体国家地方联合工程研究中心、产业技术创新中心、国家博士后科研工作站和院士工作站，搭建国际先进的第三代半导体公共研发、检测和服务平台，突破新材料、工艺装备和芯片设计等核心关键技术，推动全产业链创新能力得到有效提升。
--产业链条持续完善。补齐产业链关键环节，努力打造国内领先、国际先进的产业集群，提升产业协同发展能力，形成结构合理、生态良好的第三代半导体产业体系。
--市场主体培育壮大。大力发展掌握核心技术、具有国际竞争力和影响力的龙头企业，带动发展掌握核心关键技术的特色企业，夯实第三代半导体产业发展根基。
--产业规模快速提升。抓住新能源汽车、汽车电子、5G应用、双碳减排等新应用的市场机会，迅速做大产业规模。到2025年，第三代半导体材料、芯片、器件、模块、应用等产值达到300亿元。
先行先试，加快构建“5+N”区域布局
《规划》中在产业布局中，支持济南、青岛、淄博、潍坊、济宁等市先行先试，指导有条件的市做好产业配套，集中优势资源支持第三代半导体关键技术突破、重点产品发展和重大项目建设，逐步做大产业规模。按照“政府引导、龙头带动、园区孵化、集群推进”的总体思路，发挥国家集成电路设计济南产业化基地、青岛崂山微电子产业园、中德生态园集成电路产业基地、淄博齐鲁智能微系统创新产业基地、济宁省级信息技术产业基地等集聚优势，加大龙头企业支持力度，加快构建“5+N”区域布局。
济南。发挥龙头企业和重点项目的带动支撑作用，以发展集成电路设计和规模化制造紧密结合的产业集群为突破口，不断提升集成电路设计水平，加速推动功率半导体产线实现制造产出，有效扩大封装测试规模。依托SiC衬底材料技术优势，面向新能源汽车、电力电子、航空航天等应用市场，支持企业加大第三代半导体材料的研发和产能投入，引导上下游企业加强合作，积极布局第三代半导体器件级封装技术研发和创新，打造基于SiC基功率半导体器件生产集聚区，建成国内领先的第三代半导体产业基地。
青岛。立足智能家电、轨道交通、新能源汽车等市场应用优势，依托集成电路制造重大项目建设，以发展第三代半导体材料、芯片及器件设计、制造、封测为重点，通过抓龙头、补短板、建平台、育生态，实现产业规模快速扩张、支撑能力显着增强，加快培育自主可控产业生态。
济宁。强链发展上游SiC、GaN衬底、外延材料生产制造产业，中游发展第三代半导体分立器件、功率器件及功能芯片产业，延链发展下游芯片封装测试产业，同时向半导体应用及终端产品生产方向拓展，逐步形成较为完整的第三代半导体产业链,打造第三代半导体产业生产制造基地。
潍坊。积极布局第三代半导体材料、器件的研发，持续提升创新能力，推动器件产业化，提高产业链整体水平，优化项目建设环境，为项目推进创造良好条件。
淄博。围绕工业控制、新能源汽车、光伏发电、储能等领域，重点加快车用、充电桩用、新能源用芯片制造的产业化，推动SiC芯片和模块设计品种多样化，促进SiC模块封装规模化。
其他市。依托本地产业发展基础和特色，突出差异化发展，加强同重点市的协调联动，支持做好项目招引，逐步做大产业规模。
坚持全产业链协同发展，提升产业整体竞争能力
以技术和产品发展相对成熟的SiC、GaN材料为切入点，迅速做大第三代半导体产业规模。聚焦材料、外延、芯片、器件、封装、设备和应用等第三代半导体产业链重点环节，加强产学研联合,以合资、合作方式培育和吸引高水平企业，促进产业集聚和产业链协同,推动第三代半导体在电力电子、微波电子和半导体照明等领域的应用，打造第三代半导体产业发展高地。
1.提升材料制备和产业化能力。加速推进大尺寸SiC、GaN等单晶体材料生长及量产技术，突破SiC、GaN材料大直径、低应力和低位错缺陷等关键技术，全面提升4-8英寸GaN外延、SiC衬底单晶材料产业化能力。突破超硬晶体材料切割和抛光等关键核心技术，提升4-8英寸SiC、GaN衬底材料精密加工能力。加大对薄膜材料外延生长技术的支持力度，补足第三代半导体外延材料生长环节。推动Ga2O3等新一代超宽禁带半导体材料的研发与产业化。
2.提升器件设计和制造能力。搭建第三代半导体研发、仿真设计平台，大力扶持基于SiC、GaN等第三代半导体材料的功率、射频、以及微型发光器件及芯片设计产业，围绕SiC功率器件的新能源汽车应用和GaN功率器件的消费类快充及工业类电源市场，促进产学研合作以及成果转化，引导器件设计企业上规模、上水平。
推进基于GaN、SiC的垂直型肖特基二极管(SBD)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、高电子迁移率晶体管（HEMT）、大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、微型发光二极管（Micro-LED）、高端传感器、以及激光器等器件和模块的研发制造，支持科研院所微纳加工平台建设。大力推动晶圆生产线建设项目，优先发展特色工艺制程器件制造，在关键电力电子器件方面形成系列产品，综合性能达到国际先进水平。
3.提升封测技术和供给能力。重点开发基于第三代半导体的功率和电源管理芯片的封装材料，解决高功率、高密度大芯片的封装可靠性技术问题，积极引进先进封测生产线和技术研发中心，推动高端封装测试工艺技术装备的研制和生产效率的提升，提高产业链配套能力。
4.提升关键装备支撑能力。布局“生长、切片、抛光、外延”等核心技术装备，突破核心共性关键技术，通过关键设备牵引，实现分段工艺局部成套。突破SiC晶体可控生长环境精准检测与控制技术、基于大数据分析的数字孪生及人工智能模拟技术，研制SiC单晶智能化生长装备并实现产业化。提升清洗、研磨、切割等设备的生产能力以及设备的精度和稳定性。
优化产业发展环境，打造良好发展生态
1.建设公共技术平台。整合省内优势中坚力量，谋划建设第三代半导体关键技术研究公共技术平台，搭建国际先进的涵盖第三代半导体晶体生长技术、器件物理研究、微纳器件设计与加工技术、芯片封装与测试等核心技术实体研发创新中心，提升研发水平和效率。建设国际先进的第三代半导体研发、检测和服务公共平台，开展芯片和器件关键技术攻关，研发具有自主知识产权的新材料、新工艺、新器件。深入开展核心关键技术研究、应用验证、测试等，引入高温离子注入系统、化学机械抛光系统、等离子刻蚀机等关键工艺设备，以及大型分析检测测试设备，为产业协同发展提供服务支撑。
2.搭建成果转化平台。聚焦第三代半导体单晶材料生长技术，器件设计与制备技术，封装与测试技术等领域，加快推进高校及研究院所科技成果与产业的对接，以共建联合实验室等形式落实成果转移转化，并加速推动成果产业化进程，实现我省在第三代半导体核心技术领域的弯道超车。
3.发展产业孵化平台。支持地市、高校联合国内外研发机构和重点企业，按照新型研发机构模式成立第三代半导体产业研究院，逐步建成国际先进、国内一流的第三代半导体科技孵化器，带动产业链上下游协同发展。
培育优势主体，拉动产业整体规模快速扩大
1.壮大龙头企业。加大对重点企业的关注和扶持力度,实行一企一策,协调解决企业发展关键制约点。优先将符合条件的产业链重点项目纳入山东省新旧动能转换重大项目库,充分利用好新旧动能转换政策,进行重点扶持；围绕SiC、GaN等晶体材料、功率器件和模块、照明与显示器件和下游应用等产业链关键环节，培育壮大细分行业领军企业。
2.融通产业环节。强化需求牵引的作用，从应用端需求入手，加强从材料、芯片、器件到模块应用产业链上下游的深度合作。加强省内省外行业对接合作，精准招引、实施补链、延链、强链项目。沿链分批打造规模大、技术强、品牌响的“领航型”企业，培育细分领域的“专精特新”企业，促进产业链上下游、大中小企业紧密配套、融通发展，有效提升产业链供应链的稳定性和竞争力。
推动下游应用，拓宽产业发展渠道
1.抢抓市场机会，推动第三代半导体功率模块产业化。面向第三代半导体器件在充电桩、电动汽车、家电等应用领域，提升芯片及模块在电气性能、散热设计、可靠性、封装材料等方面的性能，突破关键技术难题，扫清产业规模扩大的技术壁垒，加快实现模块量产，降低生产成本，扩大应用规模，形成产业集聚，打造模组开发应用产业化的新高地。
2.加快国产化第三代半导体产品应用推广。围绕半导体照明、激光器、电力电子器件、高频宽带等具有市场潜力的领域，组织开展第三代半导体产品应用试点示范，加快市场渗透，提升国产化率，推动上中游产品在下游应用的快速验证，形成以用兴业的良性循环。（节选自：山东省第三代半导体产业发展“十四五”规划）
