中科汉韵6英寸碳化硅MOSFET芯片产线启动前置工作 车规级战略如期部署

日期:2022-01-26 阅读:498
核心提示:近日,中科汉韵在媒体交流会上表示,2022年公司将在碳化硅芯片的产能扩充与销售增长、平面型SiC MOSFET的生产工艺调整和性能提升
近日,中科汉韵在媒体交流会上表示,2022年公司将在碳化硅芯片的产能扩充与销售增长、平面型SiC MOSFET的生产工艺调整和性能提升以及车规级和工业级客户验证范围扩大等方面持续发力。
 
据了解,2021年中科汉韵在一期产线建设、碳化硅芯片自有产线流片、器件驱动模块设计制造和工业级功率器件设计生产上均举得突破性进展,产线当年通线当年实现订单。
 
中科汉韵代表表示,作为完整掌握碳化硅设计研发与生产制造的IDM厂家,中科汉韵的碳化硅设计生产制造能力是中科院十几年碳化硅专利成果和国际产业资源的成熟组合。团队成员来自美国及日本半导体头部企业及中芯国际、华润微电子、比亚迪(002594)、长江存储、京东方等众多大厂,并与欧美日科研机构与半导体厂家保持着紧密的产业合作。
 
目前全球碳化硅产业依然呈现的是美国厂家研发制造与市场份额一家独大的格局,Wolfspeed预测2024年全球碳化硅市场规模为68亿美元,在2026年达到89亿美元,其中一半以上来自新能源汽车,而现实情况是目前尚无中国大陆厂家真正实现碳化硅Mosfet芯片的自主制造与规模化生产。
 
中科汉韵表示,公司4英寸Mosfet已经在工艺优化程序中,规划中的2022年6英寸碳化硅MOSFET芯片产线已经开始启动前置工作。
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