据外媒报道，中国硅基GaN功率半导体IDM龙头英诺赛科宣布正式启动国际业务，通过在美国硅谷及比利时鲁汶增设设计及销售办公室，为客户提供更好的支持与服务。
放眼全球，英诺赛科市占率攀升
英诺赛科于2015年在珠海成立，专注于8英寸硅基GaN的研发、生产与制造，核心技术包含外延、器件及工艺，现拥有珠海和苏州两大晶圆生产基地，同时在国内多个城市以及北美、欧洲均设立了应用和分销机构。
对于这个GaN龙头厂商来说，目标从来都不是国内领先，而是国际领先。
根据TrendForce集邦咨询分析，在2020-2021年全球GaN功率厂商出货量占有率前十厂商中，英诺赛科得益于其高压、低压GaN产品出货量显著增长，排名跃居第三位，市占率从2020年的6%大幅提升至2021年的20%。除此之外，其GaN快充产品也首次打入了一线笔电厂商的供应链，并试图在工业、汽车市场开拓新的利润增长点。
如今，国际业务已正式启动，表明英诺赛科将以更快的速度进军国际市场。未来，其GaN产品在全球市场的占有率有望进一步提升。英诺赛科美国总经理Yi Sun坦言，未来公司将更好地为美国的客户（尤其是旧金山湾区的客户）服务。英诺赛科欧洲总经理Denis Marcon则表示，GaN发展正当时，公司已做好充分准备服务全球市场。
制程法宝：充足产能+高性价比
市占率攀升、国际影响力提升，这些成功背后的支撑可以说是高性价比的产品和充足的产能。
根据英诺赛科高级经理贺鹏在2021年集邦咨询化合物半导体应用前瞻分析会上透露，英诺赛科珠海生产基地具备了4000的月产能，苏州生产基地具备6000-10000片的月产能，未来苏州基地满产后月产能将达到65000片。而据外媒报道，英诺赛科8英寸月产能预计今年晚些时候将增加至14000片/月，到2025年之前可达70000片/月。
产品部分，目前硅基GaN器件涵盖30V-650V，出货量已超过3500万个，广泛应用于USB PD充电器与适配器、数据中心、移动手机及LED驱动电源等多个领域。
在8英寸硅基GaN核心技术上，英诺赛科优化了外延工艺，以获得均匀、可重复和坚固的8英寸GaN-on-Si外延片。此外，英诺赛科还优化了工艺技术，扩大了工艺窗口等，以此来获得可大规模量产的工艺及更高晶圆的利用率，开发具有高再现性和高良率的晶圆。
例如，英诺赛科在外延结构上加入了应力增强层，可在不影响阈值电压及漏电等其他参数的条件下，显著降低RDS(on)参数，从而开发高品质常关/E-mode GaN FET（氮化镓场效晶体管）。目前，其硅基GaN器件已通过了超越JEDEC（联合电子设备工程委员会）标准的质量和可靠性测试。
总的来说，凭借经优化的外延和器件工艺，英诺赛科成功实现8英寸硅基GaN晶圆和器件的大规模量产并降低生产成本，为客户提供具备高性能、高可靠性、高质量的产品。
英诺赛科欧洲总经理Denis Marcon认为，在市场同类产品中，英诺赛科的产品可在价格上取胜；与此同时，在缺芯背景下，公司的产能也足以保障供货能力，满足客户的需求。未来，英诺赛科期待携手更多合作伙伴，共同推动GaN渗透全球电子行业。
