近日，湖北省武汉市人民政府办公厅发布《关于促进半导体产业创新发展的意见》（以下简称“《意见》”）。
△Source：武汉市人民政府网站截图
《意见》提到，到2025年，芯片产业产值超过1200亿元，半导体显示产业产值超过1000亿元，第三代半导体产业初具规模。同时培育形成5家销售收入超过100亿元的芯片企业、5家销售收入超过100亿元的半导体显示企业、5家销售收入超过10亿元的半导体设备与材料企业，半导体企业总数超过500家，上市企业新增3—5家。《意见》中还明确了多项重点任务，包括瞄准薄弱环节补链、立足现有基础强链、聚焦热点领域延链、以及围绕前沿领域建链等。
（一）瞄准薄弱环节补链
增强集成电路设备、材料和封测配套能力。在设备环节，聚焦三维集成特色工艺，研发刻蚀、沉积和封装设备，引入化学机械研磨（CMP）机、离子注入机等国产设备生产项目；在材料环节，围绕先进存储器工艺，开发抛光垫、光刻胶、电子化学品和键合材料，布局化学气相沉积材料、溅射靶材、掩膜版、大硅片等材料项目；在封测环节，引进和培育国内外封装测试领军企业，突破先进存储器封装工艺，推进多芯片模块、芯片级封装、系统级封装等先进封装技术产业化。
加快半导体显示设备和材料国产化替代。在设备环节，聚焦有机发光二极管（OLED）中小尺寸面板工艺，研发光学检测、模组自动化设备，引入显示面板喷印、刻蚀机、薄膜制备等国产设备生产项目；在材料环节，支持液晶玻璃基板生产项目建设，加快OLED发光材料、柔性基板材料的研发及产业化，引入滤光片、偏光片、靶材等国产材料生产项目。
布局第三代半导体衬底及外延制备。在设备环节，支持物理气相传输法（PVT）设备、金属有机化合物气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）等工艺设备的研发及产业化；在材料环节，引进碳化硅（SiC）衬底、SiC外延、氮化镓（GaN）衬底生产线，布局GaN外延晶片产线。
（二）立足现有基础强链
打造存储、光电芯片产业高地。在存储芯片领域，重点引入控制器芯片和模组开发等产业链配套企业，研发超高层数三维闪存芯片、40纳米以下代码型闪存、动态随机存取存储器、三维相变存储器、存算一体芯片等先进存储芯片；在光电芯片领域，支持25G以上光收发芯片、50G以上相干光通信芯片的研发及产业化，布局硅基光通信芯片、高端光传感芯片、大功率激光器芯片等高端光电芯片制造项目。
建设国内重要半导体显示产业基地。在显示面板领域，引进大尺寸OLED、量子点显示、亚毫米发光二极管（MiniLED）显示等面板生产项目，布局微米级发光二极管（MicroLED）显示、激光显示、8K超高清、3D显示等未来显示技术研发及产业化；在显示模组领域，支持全面屏、柔性屏模组的研发及产业化，加快开发高端面板屏下传感元件及模组，引入光学镜头、背光模组等生产项目，逐步提升对中高端面板的产业配套能力。
（三）聚焦热点领域延链
通信射频芯片。支持5G绝缘衬底上硅（SOI）架构射频芯片、射频电子设计自动化（EDA）软件研发；面向5G基站、核心网、接入网等基础设施市场，重点发展基带芯片、通信电芯片、滤波器等关键芯片。
通用逻辑芯片。加快图形处理器（GPU）、显控芯片的开发及应用，提升知识产权（IP）核对中央处理器（CPU）、人工智能芯片等逻辑芯片的设计支撑能力，布局信创领域处理器项目。
北斗导航芯片。支持研发北斗三号系统的新一代导航芯片、28纳米高精度消费类北斗导航定位芯片、新一代多模多频高精度基带系统级芯片；面向交通、物流、农业、城市管理等领域开发通导一体化北斗芯片，拓展北斗应用。
车规级芯片。推进数字座舱芯片、驾驶辅助芯片、功率器件、汽车传感器等车规级芯片研发及产业化项目；面向新能源汽车，布局动力系统、主被动安全系统、娱乐信息系统、车内网络、照明系统车规级芯片产业化项目。
（四）围绕前沿领域建链
第三代半导体器件。围绕电力电子器件、射频器件、光电器件等3个应用方向，引入碳化硅（SiC）功率晶体管、氮化镓（GaN）充电模块、GaN功率放大器、高光效LED、MiniLED等器件项目；支持中高压SiC功率模块、GaN 5G射频开关、紫外LED的研发及产业化，突破SiC绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、毫米波射频器件、MicroLED关键技术。
量子芯片。支持单光子源、激光器、探测器等光量子芯片的研发及产业化；布局量子传感器、量子精密测量器件等生产项目；开展量子通信、量子成像、量子导航、量子雷达、量子计算芯片共性前沿技术攻关。
