中金公司报告称，光刻胶为半导体制造中的关键耗材，合成技术难度大、壁垒高。光刻工艺为半导体制造中的核心工艺，光刻胶为光刻工艺的关键耗材，决定芯片制造的关键尺寸。根据光源波长分类，光刻胶可分为紫外宽谱、g线、i线、KrF、ArF、EUV 6大品类，波长越短通常可制造的最小尺寸越小，技术难度越高。光刻胶的壁垒主要在于：1)配方和经验的长期积累，2)原材料的稳定供给;3)客户黏性和认证周期长;4)前期资金和人才投入大。
全球光刻胶市场规模大，IC光刻胶中EUV和KrF增速高。根据Research And Markets数据，2020年全球光刻胶市场为87亿美元。根据Techcet数据，2020年全球IC光刻胶市场约18.33亿美元，预计2025年达24.66亿美元，5年CAGR为6.11%;受益于先进逻辑制程(<7nm)及DRAM(1α nm)的应用，EUV光刻胶市场规模有望由2020年的0.27亿美元迅速增长至2025年的2.26亿美元;随着堆叠层数的提升，KrF光刻胶在3D NAND制程中的使用量同步增加，市场规模有望由2020年的6.12亿美元提升至2025年的9.1亿美元。
日美企业主导光刻胶市场，国内投入日益加大，有望改变核心原材料和高端IC光刻胶的全球格局。据Research And Markets的数据，2020年全球前五大光刻胶供应商占据全球87%的市场份额，行业集中度高。国内光刻胶产业发展不均衡，现状是厂商多而不强。光刻胶方面，国内供应商主要集中于PCB/面板/LED领域和g/i线等中低端市场;光刻胶原材料方面，成本占比高的树脂和光引发剂等对海外厂商依赖度高。随着国内半导体产业快速发展以及对国产核心半导体材料的重视，国内部分公司在KrF、ArF等高端IC光刻胶领域不断突破，我们认为，将来有望改变全球光刻胶产业供给格局。
