天岳先进能够赢得如此豪华的战投阵容，与公司所处赛道息息相关。其主营第三代半导体碳化硅（SiC）衬底材料，主要产品包括不同尺寸的半绝缘型和导电型SiC衬底。其中，半绝缘型产品主要应用于信息通讯等领域，而导电型衬底的主要应用领域之一便是新能源汽车。
目前，半绝缘型SiC衬底是公司主要收入来源，不过本次科创板IPO募投项目则集中于6英寸导电型衬底扩产。
值得一提的是，最近另一家SiC衬底厂商同光股份同样获得了车企的投资。长城汽车作为领投方入股同光股份，聚焦SiC在新能源汽车产业的应用。同光股份第一个扩产项目涞源工厂已于去年投入运行；同时，公司还在规划继续推进扩产，预计SiC单晶衬底年产能可达60万片。
车企争夺碳化硅逻辑何在？
天风证券给出数据，相较于硅（Si）材料，使用SiC后可节约能源相当于：1）每辆轿车每年节省5.5桶油量；2）每年减少690kg CO2排放。三安光电副总经理陈东坡则预计，在2023-2024年，长续航里程的车型基本上80-90%、甚至100%都将导入SiC器件。
去年11月，SiC芯片企业瞻芯电子宣布完成总金额达数亿元的A+和A++轮融资，参投方中，便出现了广汽资本与宁德时代的身影。
同月，小鹏G9正式发布，成为国内首款基于800V SiC平台的量产车；而长城沙龙汽车首款车型机甲龙，也表示支持800V超级快充；上汽大众日前也已完成“三合一”电桥试制，可有效提升车辆续航里程，未来将搭载在ID.4 X车型上。
值得一提的是，此前SiC成本高于Si一直是外界诟病之处。不过，如今SiC成本已在逐步降低，且安信证券指出，SiC效能提升给整车所带来的降本效应可抵消器件本身的成本增加，采用SiC器件并不会提高整车成本。
另一方面，不同于传统Si材料，SiC衬底材料成本在总成本中占比近五成。例如，SiC 6英寸晶圆总成本约6400元，其中衬底+外延价值量在3840元左右。
同时，由于供应链、技术、专利壁垒高企，集邦咨询化合物半导体分析师龚瑞骄也在日前指出，衬底是SiC晶圆产能的关键制约点，未来取得SiC衬底资源将成为进入下一代电动车功率器件的入场门票。
