12月24日，有投资者向国星光电（002449）提问， 请问公司的分立器件应用于新能源汽车嘛？
公司回答表示，您好，公司第三代半导体新产品GaN-DFN器件可应用于新能源汽车充电、手机快充等。
12月8日，国星光电(002449.SZ)在投资者互动平台表示，国星光电第三代半导体产品预计年底前实现小批量产；国星光电推出的SiC功率器件、功率模块和GaN-DFN器件3大系列第三代半导体新产品，SiC功率器件可广泛应用于大功率电源、充电桩等工业领域；GaN-DFN器件可广泛应用于新能源汽车充电、手机快充等；功率模块可广泛应用于各种变频器、逆变器的工业领域。
同时，其补充到，国星光电产品能达到欧洲CE认证标准。
而针对于是否涉及智能传感器方面产品这一问题，国星光电表示，国星光电推出基于传感技术的新品——智能健康感测器件，可广泛应用于智能手表、智能手环、VR等设备场景，该智能健康感测器件已实现量产，并积极与国内外品牌厂商联手合作，共同发力可穿戴设备领域。
国星光电推出第三代半导体系列新产品
国星光电推出第三代半导体系列新产品
目前，国星光电在第三代半导体领域已经形成了3大产品系列，包括：SiC功率器件、GaN-DFN器件、功率模块。国星光电打造高可靠性、高品质的功率器件封测企业，坚定高性能、高可靠性、高品质的产品路线。
●SiC功率器件
国星光电SiC功率器件小而轻便，反向恢复快、抗浪涌能力强、雪崩耐压高，拥有优越的性能与极高的工作效率。目前该领域已形成了2条SiC功率器件拳头产品线：SiC-MOSFET、SiC-SBD；拥有4种封装结构（TO-247、TO-220、TO-263、TO-252）；可广泛应用于大功率电源、充电桩等工业领域。
●GaN-DFN器件
国星光电的GaN-DFN器件具有更高的临界电场、出色导通电阻、更低的电容等优势，使其尤适用于功率半导体器件，降低节能和系统总成本的同时，工作频率更高，具有极高的功率密度和系统效率，可极大地提升充电器、开关电源等应用的充电效率，广泛应用于新能源汽车充电、手机快充等。
●功率模块
国星光电第三代半导体功率模块，采用自主创新的架构及双面高效散热设计，具有优越的电性能和热性能，杂散电感低、转换效率高、轻载损耗小等优势，其功率密度大，产品体型小，可广泛应用于各种变频器、逆变器的工业领域，满足系统开发人员对空间的严格要求。模块产品可根据特殊功能需求进行模块化定制开发。
为做好技术储备积累，满足市场需求，2020年国星光电便启动了组建功率器件实验室及功率器件产线的工作。目前，国星光电第三代半导体新品已正式推出，其中，TO-220/TO247系列的SIC-MOSFET和SIC-SBD产品已经进入了试产阶段，并且在样品阶段完成了AEC-Q101车规级标准的摸底测试验证工作。TO-247-3L的性能达到1200V、40A、80mΩ，TO-220-3L达到1200V、13A、160mΩ。
与此同时，公司产品已送至第三方有资质的机构，正在依据AEC-Q101、JESD22、MILSTD-750等有关车规级和工业级标准进行认证测试。
未来，在国家“十四五”规划的伟大蓝图下，国星光电定将持续加大第三代半导体的研究开发和技术成果转化，为国家战略安全、为第三代半导体国产化贡献力量。
