氮化铝（AlN）是超宽禁带半导体材料的典型代表，具有宽带隙、高激子结合能、高熔点、高临界击穿场强、高硬度、高热导率、高温热稳定性和耐化学腐蚀等优异特性，是制作紫外光电器件以及大功率、高频电子器件的理想材料，现已被国家列为“战略性先进电子材料”。
近日，第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳会展中心举行。期间，“氮化物半导体衬底与外延技术“分论坛上，深圳大学物理与光电工程学院副院长、教授武红磊做了题为“氮化铝晶体PVT生长装置及技术研究”的主题报告，分享了最新研究进展。
报告主要开展氮化铝晶体物理气相传输法（PVT）制备装置及技术研究，包括：研究氮化铝晶体的PVT生长习性及对制备装置的特殊要求，以及达到这些特殊要求的途径和方法；通过自行设计的装置，探索大尺寸氮化铝单晶的生长技术；对不同颜色晶体进行分析，研究氮化铝晶体呈现有色的原因，探索本征缺陷、杂质等的影响，并通过工艺优化，实现无色英寸级氮化铝单晶制备。
武红磊博士，深圳大学物理与光电工程学院副院长，光电子器件与系统教育部重点实验室（深圳大学）副主任，深圳大学优秀学者，广东省重大科技项目首席科学家。自2004年起一直从事超宽禁带半导体材料-氮化铝晶体的制备及相关器件研究。主持、参与973项目、国家自然科学基金重点项目等国家级项目6项、广东省重点领域重大科技专项1项及深圳市项目8项；在ACS Photonics、Advanced Materials等国内外知名学术期刊等发表学术论文40余篇；申请专利30余项，授权21项，编写氮化铝晶体研究英文专著一本；设计了国内首台氮化铝晶体的专用生长装置，并逐步完善实现生长装置的定型；深入研究晶体生长，实现英寸级、无色氮化铝晶体的可靠制备，并形成了具有知识产权保护的生长技术体系。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
