此次参与的机构有产业投资方芯朋微、活水资本、万联广生、政府产业基金及势能资本等，老股东毅达资本、浦高产投持续加持，势能资本连续担任独家财务顾问。本轮融资将助力华瑞微积极推进功率器件国产化之路，加大在IGBT、SiC功率器件等方面的研发力度，加快提升产能，实现进一步发展。
华瑞微董事长&CEO刘海波表示，半导体行业是典型的硬科技行业，全球各个芯片公司都有多年的积累，也汇集了优秀的工程技术类人才，因此我个人认为弯道超车基本上不可能，这个领域只能是脚踏实地追赶，然后才有可能超越。具体到功率器件这个细分领域，不追求小线宽制程，强依赖特色工艺，因此集设计、研发、制造一体的模式最适合这类产品。大浪淘沙，唯有坚持方得始终，华瑞微是一个不追求短期利润的公司，我们会在长期正确的道路上持续努力，耐住寂寞，也期望为中国的半导体行业贡献自己的力量。同时，也很感谢势能资本的一路同行。
势能资本合伙人熊久阳表示，很感谢华瑞微，让我们深度见证了企业这小两年的快速发展，且有幸参与到企业的未来。IDM是功率半导体的终极模式，机遇和挑战都是市场的声音，刘总团队的决心、丰富的经验和强执行力是最扎实的回应。新能源及电动化等趋势正快速的给应用端带来新场景，身处这种百年来最深刻的变革，我们需要的是仰望星空、脚踏实地。
华瑞微创建于2018年5月，是一家专注于功率器件产品的高新技术企业、国家级专精特新“小巨人”企业，致力于提升我国中高端功率器件研发与制造的核心竞争力。核心团队均具有15年以上的行业相关经验，曾就职于英飞凌、华润微、紫光微电子等行业头部企业，在特色工艺方面有深厚积累。已形成丰富的高端功率器件产品矩阵，与多家上市公司和头部企业形成稳定的合作关系，终端客户包括小米、飞毛腿、美的、长虹等知名品牌。在研发方面，团队里有国内首批开展功率器件研发和量产工作的技术骨干，专注于高端功率器件的研发。华瑞微一期建设的6英寸晶圆厂，得益于核心团队丰富的产线建设经验，仅用一年时间便达到了投产状态，是国内建设速度最快的晶圆厂之一。相比于半导体纯设计公司，自有晶圆厂模式可以缩短产品研发周期、提升客户响应速度、降低成本，同时也有利于开发特色工艺，提升产品附加值，并且在产能紧缺的市场环境下保障芯片的供应。未来，华瑞微将持续释放产能，为我国的功率半导体产业贡献自己的力量。
下游驱动强劲，功率半导体高景气持续
功率半导体是电能转换与电路控制的核心，消费电子、新能源汽车、工业智能等下游应用需求的持续旺盛，推动功率半导体市场规模的稳健增长。根据IHS的数据显示，2020年全球功率半导体市场规模达143亿美元；Yole 预测2025年市场规模预计为225亿美元。
消费电子快充方案：快充技术即通过提高电压来达到高电流高功率，为保证整体稳定性，需要加入同步整流的MOSFET器件进行降压。目前快充技术已经覆盖智能手机、平板电脑、笔记本电脑、显示器、新能源汽车、电动工具、IoT设备七大市场。预计2022年快充整体渗透率将达到21%，快速充电器市场规模将达到27.43亿美元。随着快充渗透率的持续提高，超结MOS等功率器件需求用量将进一步提升。
新能源汽车及充电桩：功率半导体显着受益于汽车电动化趋势。新能源汽车中用于电能转换的功率半导体用量显着提升，单车价值量达到387美元，相比传统内燃汽车价值量提高了近5.5倍。IGBT及MOSFET为新能源汽车上主要应用的功率器件。IGBT能够耐高压、高频，在新能源汽车的应用以高压电能变换为主，也是直流充电桩的核心功率器件；高压MOSFET等开关器件是车载充电器(OBC)中DC-DC转换模块的核心功率器件，低压MOSFET则广泛应用于汽车上的各类低压用电器，在高端车型用量可达400个。未来随着新能源汽车的进一步渗透，车用MOSFET&IGBT市场空间有望超300亿元。充电桩也是功率器件的重要增长点，MOSFET是实现电能高效率转换、确保充电桩稳定不过热的关键器件，随着充电桩加速建设，对MOSFET的需求也将进一步提升。
工业自动化：《中国制造2025》和工业4.0的不断推进，为工业功率半导体带来持续的增长动能。功率半导体在工业领域主要发挥着控制电压、电流和变频的作用，随着中国制造业的智能化和自动化，工业的生产制造、物流等流程改造对电机需求不断扩大，工业功率半导体作为功率半导体应用的基本盘，市场需求稳步增长。
变频家电：未来持续稳定的更新需求成为提升变频家电销量的重要驱动力量。变频家电给IGBT、MOSFET提供稳定的市场需求。据英飞凌数据显示，变频家电单机功率半导体价值可达9.5欧元，相比非变频家电增长近13倍。受益家电变频化需求推动，全球家电相关功率半导体规模有望从2017年的26.45亿欧元增长至2022年的57.7亿欧元，年均复合增速达17%。
全球产能吃紧，IDM厂商产能稀缺
我国是全球最大的功率半导体消费国，占据全球约35%的功率半导体市场，2020年达到千亿人民币，规模增速快于全球。但我国功率半导体器件自给率较低，在器件的生产制造端存在较大供给缺口。
当前，由于下游应用的快速增长以及制造业在全球后疫情时代的复苏，半导体处在长期短缺的状态，对下游各类终端产品的产能造成了一定影响，IDM模式厂商产能普遍吃紧，安森美、英飞凌、意法半导体等出货排期通常在12个月以上，预计产能紧张的情况将持续到2023年中期。
在此期间，Fabless模式运行的中小型功率半导体厂商的盈利空间将会受到产能限制。华瑞微前瞻性地布局6英寸晶圆厂的建设，有效填补半导体市场供给缺口。该晶圆厂预计于今年12月正式投产，初期产能已基本被大客户预定，未来的经营确定性极高。
中高端产品国产替代需求迫切，华瑞微大有可为
除了整体供给短缺以外，MOSFET、IGBT等产品具有较高技术门槛，目前市场主要被英飞凌、安森美、意法半导体、东芝等国际企业所主导，我国中高端功率MOS和IGBT自给率不足10%，全球产能吃紧的市场行情促进了功率器件供应链向国内迁移，国产替代空间广阔。
华瑞微目前在高压VDMOS、低压Trench MOS、超结MOS、SGT MOS等高端技术路线上已经具有上千种产品，覆盖低、中、高压范围，满足各领域需求，采用非尺寸依赖的特色工艺，能够快速开发适应于不同应用场景的定制化产品，同时在IGBT和第三代化合物半导体SiC功率器件方面也进行着积极的研发工作，预计未来产品将实现消费级、工业级、车规级的全面覆盖，满足各行各业客户的多元需求，在新型以及高端半导体功率器件的国产替代进程中发挥重要作用。
