期间，由北京一径科技有限公司、广东芯聚能半导体有限公司、广东晶科电子股份有限公司、上海瞻芯电子科技有限公司协办支持的”车用半导体创新合作峰会“如期举行。
全球SiC在过去两年发生了很多事情，其中，特斯拉开始引入SiC MOSEFT到主驱上并迅速量产，并被市场广泛接受，客户反应良好；国产新能源车开始引入SiCMOSFET 到主驱上，反应良好；SiC衬底开始降价；SiC市场从以二极管为主逐渐过渡到以MOSFET为主（国际市场）。国际领先大厂采取不同的发展策略，Cree供应全球大多数的的SiC衬底，其垂直整合，控制衬底价格及产品开发，过度到8吋的时间以到达器件级别的价格竞争力。罗姆采用垂直整合，向8吋过度，追求性价比，2009收购SiCrystal；英飞凌采用IGBT 12“ 和SiC双轮发展，封装有规模价格优势，2018年收购Siltectra。博世专注于SIC器件的研发生产，已经在BYD汉上得到批量应用。
会上，广东芯聚能半导体有限公司总裁周晓阳做了题为“碳化硅应用于新能源汽车电机电控系统的挑战与优化思路”的主题报告。
SiC可实现更有效的电驱控制，提高续航里程，减少电池消耗；可提供速度更快，容量更高的车载充电方案；可实现更高电压，从而提升充电速度。当前整车厂及Tier1不断引入SiC。
报告结合SiC芯片的优势、SiC的封装趋势、SiC器件在新能源汽车上的应用趋势，分享了SiC模块封装设计需求、SiC模块封装工艺的进阶、SiC模块封装结构的进阶、SiC模块封装可靠性、SiC模块在电驱上的应用等最新发展趋势。
当前，SiC功率器件向着更高的功率、更高的运行节温、更小的体积、更低的杂散电感、更低的损耗、更低的热阻、更苛刻的成本要求、更好的可靠性等方向发展。SiC模块封装设计需求方面，结合碳化硅芯片的本身特性以及市场对碳化硅器件性能的需求，新型碳化硅模块的进一步创新一定是在更高的性能，更小的尺寸和更性价比的成本为主要指标进行开发。
SiC模块封装工艺方面，目前功率器件寿命可靠性薄弱点主要是铝线键合工艺，随着碳化硅的器件逐渐推广，新型键合工艺也逐渐推广。SiC模块封装结构方面，正向着优化电路结构，实现低杂散电感封装，降低峰值电压，保护器件，降低损耗，实现高性能高可靠性封装的方向进阶。
报告指出，相比于传统功率器件，SiC器件在测试和应用时需要关注以下几点：一是大功率模块采用多芯片并联；相比IGBT，SiC MOSFET的器件电气参数具有更大分散性，在模块并联配置时需要更准确的分组设置和测试方法；二是栅极开启电压Vth需要通过预测试实现准确可重复测量；三是双脉冲测试系统杂散电感对SiC器件波形影响更大，导致读值异常；四是SiC器件在大电流关断时di/dt高，模块会承受较大的电压应力，电压尖峰容易超过安全工作区。
当前，芯聚能自主开发 SiC 车载主驱模块，已于2020年8月完成设计定型，包括1200V/750V 多个版本，经过验证，2021年Q4产能 >10万块/年，计划于2022年Q1 SOP。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
