期间，由北京一径科技有限公司、广东芯聚能半导体有限公司、广东晶科电子股份有限公司、上海瞻芯电子科技有限公司协办支持的“车用半导体创新合作峰会“如期举行。会上，上海瞻芯电子科技有限公司应用工程师杨义带来了题为”SiC MOSFET多管并联均流驱动技术探讨“的主题报告，报告结合多管并联测试条件，详细分享了SiC单管并联开通过程均流影响因子分析、IVCR1412 SiC专用驱动和传统并联驱动方案均流对比分析、功率器件并联功率回路杂散电感影响与结温对均流的影响等内容。
报告指出，SiC功率器件的Vth、Rds(on)、Cgs、Cgd 和栅极电阻不一致都会对并联产生负面影响，使用传统驱动方式时，尽量挑选一致器件并联使用。使用IVCR1412驱动SiC并联，能容忍更大的Vth偏差，∆Vth=0.6V未出现不均流情况。
使用传统驱动SiC并联，驱动回路和功率回路电感的差异对均流影响较大，在功率器件参数一致情况下，可能出现电流不均流严重的情况。使用IVCR1412能减弱功率回路对驱动回路耦合，减弱漏感失配导致不均流恶化的情况。在SiC器件多管并联应用中，应尽量做到器件一致、结构对称、杂散优化。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
