近日，第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳会展中心举行。本届论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）联合主办，北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司与半导体产业网共同承办。
期间，由苏州能讯高能半导体有限公司、罗德与施瓦茨、广州南砂晶圆半导体技术有限公司共同协办支持的”射频电子器件与应用论坛“上，西安电子科技大学特聘教授刘志宏做了题为“面向移动SoC应用的氮化镓射频器件研究进展”的主题报告。
GaN射频器件已经证明在雷达、卫星、通信基站等领域具有非常大的优势，并且得到应用。GaN射频器件主要优势体现在PA上，GaN PA具有高功率、高效率、小体积、抗辐射、耐高温、低系统成本等优点。GaN射频移动终端SoC应用具有强自发极化和压电极化、更高的电子饱和速度、更大的导热系数、更低的花费、更容易与Si CMOS集成等优势。如果使GaN射频器件具有对GaAs足够优势，需要解决提高性能、降低成本等挑战。报告从InAlN势垒结构Si基GaN HEMT、AlN势垒结构Si基GaN HEMT、Si基GaN其他射频器件及GaN-CMOS异质集成等方面分享了研究进展与成果。
刘志宏，西安电子科技大学教授、博导。2007年加入新加坡南洋理工大学淡马锡实验室，任职Research Associate，负责氮化镓微波器件和MMIC制造技术的研发；2011年加入新加坡-麻省理工学院联合科技中心（SMART），任职 PostDoc Associate、Research Scientist和Principal Research Scientist，负责硅基氮化镓微波/毫米波/太赫兹器件、氮化镓与硅CMOS异质集成技术、氮化镓电力电子器件等的研发。2019年全职回国加入西安电子科技大学。目前研究方向为GaN等宽禁带半导体器件物理、制造技术、表征建模与集成电路。
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