期间，由苏州能讯高能半导体有限公司、罗德与施瓦茨、广州南砂晶圆半导体技术有限公司共同协办支持的”射频电子器件与应用论坛“上，中国电子科技集团公司第十三研究所梁士雄做了题为”基于氮化镓肖特基二极管的高性能太赫兹倍频器“的主题报告。
因具备高击穿电压和低介电常数的优势，GaN肖特基二极管（SBD）在一些新兴高功率太赫兹倍频器上显示出巨大的应用前景。报告表示，研究采用金属-有机物化学气相沉积（MOCVD）法在SiC衬底上外延生长N-/N+结构的GaN肖特基二极管材料。通过增加阳极结数量，优化阳极结尺寸，提高单个GaN 肖特基二极管芯片的耐受功率。基于三维电磁场模型，设计并制备了高性能的太赫兹倍频器，展示出创纪录的性能。
倍频器在151 GHz下实现1322 mW的输出功率和27%的效率，在216 GHz下实现1006 mW的输出功率和15%的效率，在302 GHz下实现183 mW的输出功率和13.9%的效率。采用功率合成结构，GaN基倍频器的性能还将得到进一步提升。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
