近日，第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳会展中心举行。本届论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）联合主办，北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司与半导体产业网共同承办。
期间，由苏州能讯高能半导体有限公司、罗德与施瓦茨、广州南砂晶圆半导体技术有限公司共同协办支持的”射频电子器件与应用论坛“上，中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心副研究员曾建平做了题为”宽频段高效率单片集成GaN基SBD倍频电路研究“的主题报告。
肖特基二极管（SBD）具有强烈的电容和电阻非线性，可以对输入信号频率生成高次谐波，实现信号的倍频输出，具有全固态、易于系统集成等特点。宽禁带GaN基SBD在功率承载方面具有突出优势，然而受载流子迁移率的影响，GaN基SBD倍频电路的效率非常低。研究率先采用单片集成GaN基SBD技术，成功研制了单片集成GaN基SBD倍频电路，并通过微组装腔体技术，实现宽频段高效率二倍频器。实测在连续波模块驱动下，峰值输出效率达到13.4%@112GHz <mailto:峰值输出效率达到13.4%@112GHz>；在大功率脉冲模块驱动下，峰值输出效率达到34.6%@94GHz <mailto:峰值输出效率达到34.6%@113.5GHz>；在92GHz到115GHz的宽频段内，脉冲模式转化效率超过15%。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
