近日，第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳会展中心举行。本届论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）联合主办，北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司与半导体产业网共同承办。
期间，由苏州能讯高能半导体有限公司、罗德与施瓦茨、广州南砂晶圆半导体技术有限公司共同协办支持的”射频电子器件与应用论坛“上，日本德岛大学教授、西安电子科技大学特聘教授敖金平做了题为”转换效率超过91%的基于GaN肖特基势垒二极管的微波整流器“的主题报告。从GaN-SBD 的设计和制造、905MHz微波整流器的开发等方面分享了研究成果。
具有U形准垂直结构的氮化镓 SBD是专门为 905 MHz的低功率微波整流而设计和制造的。采用高掺杂外延层和图案化肖特基阳极，分别将GaN SBD电阻降低至0.75Ω，将结电容降低至0.9 pF。研究设计并测量了基于U型GaN SBD的工作频率为905 MHz的微波整流器。由于出色的二极管性能和微波电路设计，在20 dBm的输入功率下实现了超过91.5%的实测转换效率。由于结电容较小，整流器的高效工作带宽 (>50%) 也提高到14.5 dBm。
敖金平，日本德岛大学教授、西安电子科技大学教授，2003年11月起加入德岛大学并于2012年升任准教授。2016年起任西安电子科技大学特聘教授，博士生导师。主要从事基于GaN的光电器件和电子器件的研究工作。在国际学术期刊和国际会议上发表论文200余篇，拥有多项发明专利。敖博士是国际电气电子工程师协会(IEEE)高级会员，美国电气化学协会(ESC)会员，日本应用物理学会会员以及日本电子情报通信学会会员。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
