近日，第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳会展中心举行。本届论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）联合主办，北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司与半导体产业网共同承办。
期间，由苏州能讯高能半导体有限公司、罗德与施瓦茨、广州南砂晶圆半导体技术有限公司共同协办支持的”射频电子器件与应用论坛“上，韩国Wavice Inc首席技术官兼器件部门总监Sangmin LEE带来了题为“i-line步进器实现的具有各种栅极尺寸的GaN HEMT器件的性能和可靠性”的主题报告，分享了最新研究进展。
报告指出，最近，除了传统的早期开发商如SEDI、Cree (Wolfspeed)、Qorvo和UMS外，GaN HEMT 器件已经由主要的基于Si和GaAs的代工服务公司生产，如Win Semiconductor、TSMC。在韩国，Wavice已开发出可制造的GaN HEMT。Wavice分别于2019年和2021年使用i-line步进光刻技术在SiC衬底上推出了0.4 um和0.3 um栅极GaN HEMT。尤其是0.3 um门器件已被开发用于支持sub-6Ghz 5G基站应用不断增长的需求。
目前，用于X和Ku波段应用的0.2 um栅极器件也在开发中，也使用i-line步进器。通常，<0.25 um栅长器件需要电子束光刻或特殊的CD收缩技术。在Wavice中，所有那些 0.4、0.3和0.2 um器件都是通过简单的光刻和ICP蚀刻技术生产的。根据开发的初步结果，栅极长度降至0.12um。
Sangmin Lee，现任Wavice Inc 首席技术官兼设备部门负责人，韩国西江大学理学学士，韩国西江大学理学硕士，韩国西江大学固体物理学博士。2010 ~ 2015 - Cree 研究科学家，2015~至今- Wavice首席技术官。主要研究领域，宽禁带半导体器件，包括 GaN、SiC、Ga2O3 · 毫米波器件（InP DHBT、GaN HEMT 等） · 高功率器件的可靠性和故障机制。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
