期间，由苏州能讯高能半导体有限公司、罗德与施瓦茨、广州南砂晶圆半导体技术有限公司共同协办支持的”射频电子器件与应用论坛“上，中国科学技术大学Alsaman A. amgad做了题为”HEMT器件通道内2DEG电荷的空间非均匀性“的主题报告。
报告指出，早期开发的传统建模方法用于对Si、GaAs上的场效应晶体管进行建模，无法准确捕捉 GaN/AlGaN HEMT 器件物理特性。它们主要依赖于在相对较高的工作电压下无法处理的渐进通道近似。使用蒙特卡罗电子传输方法的数值模拟表明，随着施加电压的增加，电子浓度和其他物理量（电场、漂移速度和温度）沿着晶体管沟道变得强烈非均匀分布。这样的结果使渐进通道近似受到质疑，并增加了对更可靠的基于物理的模型的需求，这些模型解释了非均匀/非线性分布的物理量（电场、电位、漂移速度和电子浓度）。在研究工作中，使用电流连续性和三角量子阱近似推导出了沿 HEMT 通道的电子浓度分布的分析模型。电子浓度分布可用于准确估计不同偏置条件下的器件电容。
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