近日，由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）联合主办，北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司与半导体产业网共同承办的第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳会展中心举行。
期间，由苏州能讯高能半导体有限公司、罗德与施瓦茨、广州南砂晶圆半导体技术有限公司协办支持的“射频电子器件与应用论坛“上，韩国Wavice Inc首席技术官兼器件部门总监Sangmin LEE，中国科学院半导体研究所副研究员张连，西安电子科技大学特聘教授刘志宏，中兴通讯股份有限公司董晶，罗德与施瓦茨市场发展经理郭进龙，日本德岛大学教授、西安电子科技大学特聘教授敖金平，中国电子科技集团公司第十三研究所梁士雄，南京电子器件研究所高级工程师张凯，中国科学技术大学Alsaman A.amgad，中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心副研究员曾建平等精英专家们通过线上线下的方式带来精彩报告，分享前沿研究成果。苏州能讯高能半导体有限公司董事长张乃千，南方科技大学深港微电子学院院长、教授于洪宇共同主持了本次论坛。
韩国Wavice Inc首席技术官兼器件部门总监Sangmin LEE带来了题为“i-line步进器实现的具有各种栅极尺寸的GaN HEMT器件的性能和可靠性”的主题报告，分享了最新研究进展，报告指出，在韩国，Wavice已开发出可制造的GaN HEMT。Wavice分别于2019年和2021年使用i-line步进光刻技术在SiC衬底上推出了0.4 um和0.3 um 栅极GaN HEMT。在Wavice中，所有那些 0.4、0.3和0.2 um器件都是通过简单的光刻和ICP蚀刻技术生产的。根据开发的初步结果，栅极长度降至0.12um。
中国科学院半导体研究所副研究员张连做了题为“亚毫米波段GaN基HEMT与选区外延技术研究”的主题报告，报告面向高性能亚毫米波段GaN基HEMT，研究了MOCVD选区外延生长条件和气流模型，揭示了生长厚度、电子迁移率以及有效掺杂浓度之间的关系。最大振荡频率300GHz以上GaN基HEMT常以超薄(In)AlN势垒层抑制短沟道效应，并常采用源漏极选区外延重掺杂n+-GaN来减小寄生电阻。报告面向高性能亚毫米波段GaN基HEMT，研究了MOCVD选区外延生长条件和气流模型，揭示了生长厚度、电子迁移率以及有效掺杂浓度之间的关系。InAlN/GaN HEMT的源漏极选区生长n+-GaN材料同时实现了电子浓度5.2×1019 cm-3，电子迁移率138 cm2/V·s，处于国际报道的最好水平之一。InAlN/GaN HEMT金半接触电阻率低至0.04 Ω·mm，GaN与2DEG接触电阻率为0.09Ω·mm，导通电阻Ron为0.75Ω·mm。
西安电子科技大学特聘教授刘志宏做了题为“面向移动SoC应用的氮化镓射频器件研究进展”的主题报告，从InAlN势垒结构Si基GaN HEMT、AlN势垒结构Si基GaN HEMT、Si基GaN其他射频器件及GaN-CMOS异质集成等角度分享了最新研究进展。报告指出，Si基GaN射频在移动终端SoC应用具有很大潜力。移动SoC 偏压（3.5V和5V）下，InAlN势垒结构、AlN势垒结构的Si基GaN射频HEMT表现出了优于GaAs器件的性能。
日本德岛大学教授、西安电子科技大学特聘教授敖金平带来了题为“转换效率超过91%的基于GaN肖特基势垒二极管的微波整流器”的主题报告，从GaN-SBD 的设计和制造、905MHz微波整流器的开发等方面分享了研究成果。报告指出，设计并测量了基于U型GaN SBD的工作频率为905 MHz 的微波整流器。由于出色的二极管性能和微波电路设计，在20dBm的输入功率下实现了超过91.5%的实测转换效率。
南京电子器件研究所高级工程师张凯做了题为“大功率GaN微波毫米波二极管及其创新应用”的主题报告，报告首次报道系列大功率GaN微波毫米波肖特基二极管（初代产品），目前国内外尚无类似产品。同时，展示了采用GaN二极管研制的微波整流、限幅器、太赫兹倍频器等典型电路。
中国科学技术大学Alsaman A.amgad带来了“HEMT器件通道内2DEG电荷的空间非均匀性”的主题报告，分享了最新研究成果，研究使用电流连续性和三角量子阱近似推导出了沿HEMT通道的电子浓度分布的分析模型。电子浓度分布可用于准确估计不同偏置条件下的器件电容。
中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心副研究员曾建平带来了题为“宽频段高效率单片集成GaN基SBD倍频电路研究”的线上主题报告。报告显示，率先采用单片集成GaN基SBD技术，成功研制了单片集成GaN基SBD倍频电路，并通过微组装腔体技术，实现宽频段高效率二倍频器。
中国电子科技集团公司第十三研究所梁士雄带来了题为“基于氮化镓肖特基二极管的高性能太赫兹倍频器”的主题报告，分享了最新研究成果。研究采用金属-有机物化学气相沉积（MOCVD）法在SiC衬底上外延生长N-/N+结构的GaN肖特基二极管材料。研究显示，采用功率合成结构，GaN基倍频器的性能还将得到进一步提升。
罗德与施瓦茨市场发展经理郭进龙做了题为“创新测试方案助力射频芯片跨越发展”的主题报告。
中兴通讯股份有限公司董晶做了题为“GaN技术助力实现通信网络双碳目标”的主题报告。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
