近日，以“创芯生态 碳索未来”为主题的第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳会展中心举行。本届论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）联合主办，北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司与半导体产业网共同承办。
大尺寸、低成本，与现有Si集成电路制备工艺兼容是降低GaN功率电子器件制造成本的有效途径，Si基GaN向着大尺寸、厚膜化、低缺陷密度方向发展。期间，“氮化镓功率器件“专场上，北京大学物理学院高级工程师杨学林做了题为”Si衬底上GaN基功率电子材料及器件研究“的主题报告，从Si衬底上GaN厚膜外延生长，Si衬底上GaN基准垂直结构功率器件研制，Si衬底上GaN基MEMS器件研制的角度，结合具体的研究过程与数据，分享了研究成果。
研究结果显示，在Si衬底上实现高质量的GaN连续厚膜，在Si衬底上实现高迁移率GaN材料，并实现准垂直结构SBD。在Si衬底上研制成功高性能的GaN基MEMS器件。
杨学林，北京大学物理学院高级工程师，国家优秀青年科学基金获得者。先后在吉林大学和北京大学获学士和博士学位，东京大学博士后。近年来在Si衬底上GaN基材料的MOCVD外延生长、C杂质的掺杂调控、缺陷影响电子器件可靠性的机理研究等方面取得了多项进展。迄今在PRL、AFM、APL等期刊上共发表SCI论文70多篇，在本领域国内外学术会议上做邀请报告10多次，申请/授权国家发明专利10多件。
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