近日，以“创芯生态 碳索未来”为主题的第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳会展中心举行。本届论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）联合主办，北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司与半导体产业网共同承办。
期间，“氮化镓功率器件”专场上，加拿大多伦多大学教授吴伟东做了题为”用于GaN功率晶体管和功率模块的智能栅极驱动器“的主题报告，与硅功率MOSFET相比，GaN功率HEMT具有高开关速度、低导通电阻和更好的FOM。在更小的外形尺寸中以高功率密度运行的能力为可靠和稳健的运行带来了新的挑战。用于硅基功率器件的传统栅极驱动器设计适用于对栅极电压摆幅具有较大容差的较低频率。它们没有充分解决GaN功率晶体管特有的一些可靠性问题。报告回顾了GaN功率HEMT的栅极驱动要求和限制。讨论了使用精确定时和死区时间校正技术的动态栅极驱动，以充分利用GaN功率器件的性能。此外，还讨论了由于GaN功率模块中的管芯放置要求相互冲突而导致的电气和热性能之间的权衡。并介绍使用直接键合方法的液冷智能GaN功率模块作为可能的解决方案。
吴伟东，加拿大多伦多大学电子与计算机工程学部教授，其研究领域涵盖智能功率半导体器件及其制作工艺，尤其擅长功率管理集成电路、集成电源开关和集成D类音频功率放大器的开发。1990年获得多伦多大学的博士学位后，吴教授加入德州仪器公司，开发适用于汽车应用的功率晶体管。1992年吴教授加入香港大学开始学术研究生涯。1993年，吴教授加入多伦多大学，组建了智能功率集成电路和半导体器件研究团队，他于1998年和2008年分别晋升为副教授和正教授，他拥有智能功率集成电路和射频领域CMOS技术研发与改进的丰富阅历。吴教授是多伦多纳米制造中心主任和多伦多大学开发获取研究中心主任。吴教授自2009年起担任IEEE电子器件快报的副主编。
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