近日，以“创芯生态 碳索未来”为主题的第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳会展中心举行。本届论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）联合主办，北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司与半导体产业网共同承办。
期间，“氮化镓功率器件”专场上，西安电子科技大学王婷婷做了题为”基于金属氮化物阳极的凹槽双阳极SBD研究“的主题报告，报告指出，传统GaN基SBD存在着较差的界面质量、较差的热稳定性等问题。金属氮化物GaN SBDs，比如氮化钛(TiN)，具有良好的热稳定性，低的开启电压、漏电大，良好的界面质量等特点。氮化镍(NiN) 具有良好的热稳定性，高的开启电压、漏电小，良好的界面质量等特点。报告分享了凹槽双阳极SBD制备工艺流程、平面双阳极（DA）SBD器件、平面双阳极（DA）SBD器件的C-V特性、DA SBD器件的动态以及击穿特性、凹槽单阳极(RSA)、凹槽双阳极(RDA) SBD、RDA SBD器件的电流传输过程、RDA SBD器件的导通以及C-V特性、RDA SBD器件的击穿特性等角度详细分享了研究成果。
研究首次提出凹槽双阳极SBD结构，同时利用金属氮化物与凹槽阳极结构的优势，实现超低开启电压（0.3 V）以及高击穿电压（1.62 kV）的特性。研究结果显示，通过制备平面金属氮化物双阳极SBD，相比于单阳极器件，可以实现较低的开启电压（0.64 V）以及较高的击穿电压（1.49 kV）特性，通过动态I-V特性验证其优越的肖特基界面。制备凹槽金属氮化物双阳极SBD，可以进一步降低开启电压（0.30 V）以及提高击穿电压（1.62 kV）。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
