由于在水和空气净化、杀菌消毒和紫外固化等领域有重要应用，近年来AlGaN基深紫外（DUV）LED引起极大的关注，成为当前国际上III族氮化物半导体研究的热点之一。然而，由于缺乏高质量、低成本的AlN衬底，蓝宝石上异质外延高质量AlN模板是实现高性能AlGaN基DUV-LED的重要基础。然而，由于存在很大的晶格和热失配，高质量AlN外延薄膜的制备是很大的挑战。
近日，由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）联合主办，北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司与半导体产业网共同承办的第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳会展中心举行。
期间，“固态紫外材料与器件技术“论坛上，北京大学物理学院副教授许福军做了题为“高质量AlN实现路径探索及深紫外发光器件应用”的主题报告，分享了相关研究成果。
近年来，其课题组系统开展了蓝宝石衬底上高质量AlN外延生长和缺陷控制研究，探索了AlN外延薄膜晶体质量提升的控制路径，取得了不少进展，比如通过蓝宝石的氮化预处理来降低AlN晶粒的倾斜，并结合生长模式调控，有效减少位错；发展了过饱和空位浓度引入方案放大位错攀移效应，实现位错高效弯折；基于纳米图形化蓝宝石衬底(NPSS)上侧向外延思路实现AlN位错密度有效降低。以上述工作为基础，经过优化，实现了AlN薄膜中位错密度降低近3个数量级。在此基础上，进一步开展了AlGaN基DUV-LED结构生长和器件研制，并初步实现了峰值发光波长276 nm 的高性能DUV-LED器件，在注入电流为100 mA的情况下，输出功率达到28.8 mW。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
