期间，“超宽禁带半导体材料“论坛上，西安交通大学助理教授王艳丰做了题为”大面积单晶金刚石及场效应晶体管的研究“的主题报告。GaN HEMT器件通常在栅宽不到200μm的小器件可测得高的输出功率密度，而当要实现大的输出总功率时，随着器件栅宽的增加输出功率密度下降的十分严重，且频段越高这个问题越严重。材料的内禀特性决定了电子器件的性能，既有高导热又有宽禁带的半导体成为主题。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
近日，由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）联合主办，北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司与半导体产业网共同承办的第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳会展中心举行。
期间，“超宽禁带半导体材料“论坛上，西安交通大学助理教授王艳丰做了题为”大面积单晶金刚石及场效应晶体管的研究“的主题报告。GaN HEMT器件通常在栅宽不到200μm的小器件可测得高的输出功率密度，而当要实现大的输出总功率时，随着器件栅宽的增加输出功率密度下降的十分严重，且频段越高这个问题越严重。材料的内禀特性决定了电子器件的性能，既有高导热又有宽禁带的半导体成为主题。
金刚石在高温、高频、高效大功率半导体器件应用领域极具潜力，可应用于高端武器装备、电力电子器件、兆瓦级微波与光学窗口、航空航天、高端集成等领域。报告具体分享了金刚石材料的新进展以及金刚石场效应晶体管研究的最新成果。
报告指出，英寸级单晶金刚石已经研制出来，需进一步提高质量，降低缺陷密度，更大面积的单晶金刚石也已经在同-异质外延两方面开展工作；金刚石基微波器件、功率电子器件已经开展了大量的工作。
期间，“超宽禁带半导体材料“论坛上，西安交通大学助理教授王艳丰做了题为”大面积单晶金刚石及场效应晶体管的研究“的主题报告。GaN HEMT器件通常在栅宽不到200μm的小器件可测得高的输出功率密度，而当要实现大的输出总功率时，随着器件栅宽的增加输出功率密度下降的十分严重，且频段越高这个问题越严重。材料的内禀特性决定了电子器件的性能，既有高导热又有宽禁带的半导体成为主题。
