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近日，第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳会展中心举行。本届论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）联合主办，北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司与半导体产业网共同承办。
期间，“超宽禁带半导体材料“论坛上，郑州大学电子材料与系统国际联合研究中心主任、教授刘玉怀做了题为“六方氮化硼薄膜在不同衬底上的生长研究综述”的主题报告。六方相氮化硼薄膜（hBN）可望应用于深紫外发光器件、中子探测器件以及电子器件的衬底层、介质层或绝缘层，近年来hBN研究成果吸引了大量关注。报告展示hBN在不同衬底上的生长比较，包括蓝宝石衬底、氮化铝/蓝宝石模板、氮化铝衬底以及金刚石衬底等。分享了在蓝宝石、AlN/蓝宝石模板和金刚石衬底上生长的BN，观察到在不同基板上生长的所有BN薄膜的皱纹图案，可以看到生长的BN膜具有六重对称性，表明形成了六边形BN，B(~190 eV)和N(~401 eV)的K边上的π*和σ*能量损失等最新研究成果。
刘玉怀，主要研究方向为氮化物半导体材料与器件，主持国家重点研发计划政府间国际科技创新合作重点专项（基于氮化物半导体的深紫外激光器的研究）、国家自然科学基金面上项目、河南省科技攻关项目等13项。发表论文与会议报告215篇，国际会议邀请报告12次。日本专利公开1项、授权中国发明专利1项、实用新型项专利1项、软件著作权5项。紫外LED技术转移1项。目前主持第三批“智汇郑州1125创新创业领军团队”三色LED集成芯片项目，参与宁波市2025重大科技专项“深紫外LED产业化”。
