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近日，第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳会展中心举行。本届论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）联合主办，北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司与半导体产业网共同承办。
期间，“超宽禁带半导体材料“论坛上，西安交通大学电子学院院长助理、副教授李强做了题为“BAlN合金中的相变和带隙工程”的主题报告，结合具体的数据，分享了最新研究成果。报告指出，采用溅射法制备了高质量的 hBN 薄膜并研究了薄膜的特性；制备的hBN薄膜可以在大面积上获得良好的光滑度；溅射制备的hBN薄膜的RS行为首先在Ag/hBN/Al结构中观察到；由BN和BAlN薄膜组成的DBR可以在UVB波段实现高反射；制备了h-BAlN和 w-BAlN，并获得了相变的证据。
李强，从事宽禁带半导体材料与器件研究，主要研究方向：氧化物半导体材料（氧化铟锡ITO）和超宽禁带半导体材料（氮化硼BN）的制备与器件应用。第一发明人拥有国家授权发明专利11项，在国内外重要期刊上发表学术论文50余篇。主持国家及省部级项目6项，主讲国家一流本科生课程1门，陕西省精品课程1门，作为主编之一编写专著1部。
