近日，第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳会展中心举行。本届论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）联合主办，北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司与半导体产业网共同承办。
期间，“超宽禁带半导体材料“分论坛上，南京大学况悦做了题为“κ-Ga2O3/In2O3 同型异质结构的能带排列和界面弯曲”的主题报告，分享了最新成果。将κ-Ga2O3 集成到其他氧化物半导体上开辟了一条令人兴奋的途径，亚稳态 κ-Ga2O3的基本生长动力学和物理特性仍远未探索。研究通过激光分子束外延报告了单晶亚稳态正交 κ-Ga2O3外延层和立方In2O3(111) 的异质结构构造。发现Sn和In元素偏析到生长表面并作为表面活性剂降低氧吸附原子的总表面能和扩散势垒，从而在生长前沿产生富含Ga的条件，从而促进κ- Ga2O3相。深度剖面X射线光发射光谱 (XPS) 分析确定了I型带对齐，导带偏移 (CBO) 为 0.45 eV，价带偏移 (VBO) 为-1.15 eV 的κ-Ga2O3/In2O3异质结构。通过双层模型对霍尔结果的分析确定，具有1.2×1014 cm-2片状载流子浓度和192 cm2/Vs 增强迁移率的二维电子气 (2DEG) 被限制在异质结构界面处。研究表明，增强的界面电导率是极化操纵和带不连续性相结合的结果，压电力显微镜和深度剖面XPS的特性很好地支持。通过将 κ-Ga2O3 集成到其他六边形极性半导体上，可以打开通过极化工程操纵界面电导率的可能性，并提供具有多种功能的先进设备。
况悦，主要研究方向为宽禁带半导体异质结与能带工程，作为核心成员参与国家重点研发计划课题、国家自然科学基金等，曾获南京大学优秀研究生、江苏金融租赁奖学金、南京大学学业一等奖学金等，目前已在Applied Physics Letters, ACS Applied Electronic Materials等学术期刊上发表多篇学术论文。多次在半导体物理学术会议等重要会议上作口头报告。
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