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近日，由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）联合主办，北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司与半导体产业网共同承办的第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳会展中心举行。
期间，“超宽禁带半导体材料“论坛上郑州大学Mussaab I. Niass做了题为“蓝宝石衬底上BGaN基深紫外边发射激光二极管的仿真研究”的视频主题报告，分享了最新研究成果，研究利用先进的 LASTIP-Crosslight 模拟器，对由三元氮化硼镓BxGa1-xN组成的新型边缘发射激光二极管 (EELD) 进行了理论分析，以增强P型导电性。使用原型方案获得的模拟结果期望在270nm的目标UVC 波长处产生激光。此外，在0.5μm的N电极区域宽度或3μm的P电极区域宽度下可以获得最小的直接电阻。结果归因于直接电阻与 N 电极和P电极的宽度尺寸之间的线性和非线性关系。
