近日，由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）联合主办，北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司与半导体产业网共同承办的第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳会展中心举行。
人们一直在推动将更宽的带隙材料用于电力电子设备，带隙越宽，击穿场越大，这为制造具有相同材料厚度的更高击穿电压的器件打开了大门。然而，通常，向更宽带隙的转变伴随着更具挑战性的掺杂，以及制造高质量原生衬底的困难。从这些方面来看，氧化镓似乎提供了超越SiC和GaN的最佳位置。
期间，“超宽禁带半导体材料“论坛上，美国康奈尔大学教授Huili Grace XING做了题为“对抗氮化镓和碳化硅的氧化镓功率器件Ga2O3 ”的主题报告，分享了最新研究成果。报告指出，最有前途的氧化镓形式之一是其b-phase相，其带隙为4.5-4.7 eV。 幸运的是，很容易以可控的方式掺杂这种n型氧化物，实现跨越 1015 cm-3 to 1020 cm-3.的掺杂。Ga2O3一个令人鼓舞的方面是这种材料的单晶衬底可以很容易地用熔体生长技术生产，反映了由硅制成的那些衬底的制造。另一方面，Ga2O3的热导率相当低，很可能无法掺杂 Ga2O3 p型。鉴于所有这些承诺和障碍，报告中还探讨了是否有可能获得Ga2O3 大带隙带来的所有好处并展示优于SiC和 GaN制造的器件。
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