近日，由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）联合主办，北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司与半导体产业网共同承办的第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳会展中心举行。
期间，“超宽禁带半导体材料“论坛上，美国康奈尔大学教授Huili Grace XING，郑州大学电子材料与系统国际联合研究中心主任、教授刘玉怀，西安交通大学电子学院院长助理、副教授李强，中科院半导体所研究员张逸韵，西安交通大学助理教授王艳丰，中山大学副教授卢星，山东大学微电子学院副教授徐明升，西安电子科技大学袁海东，南京大学况悦，郑州大学Mussaab I. Niass等精英专家们带来精彩报告，分享前沿研究成果。中国科学技术大学微电子学院执行院长、教授龙世兵主持了本次论坛。
人们一直在推动将更宽的带隙材料用于电力电子设备，带隙越宽，击穿场越大，这为制造具有相同材料厚度的更高击穿电压的器件打开了大门。美国康奈尔大学教授Huili Grace XING做了题为“对抗氮化镓和碳化硅的氧化镓功率器件Ga2O3 ”的主题报告，分享了其研究成果。结合Ga2O3 当前的优势与挑战，报告中探讨了是否有可能获得Ga2O3 大带隙带来的所有好处并展示优于SiC和 GaN制造的器件。
六方相氮化硼薄膜（hBN）可望应用于深紫外发光器件、中子探测器件以及电子器件的衬底层、介质层或绝缘层，近年来hBN研究成果吸引了大量关注。郑州大学电子材料与系统国际联合研究中心主任、教授刘玉怀六方氮化硼薄膜在不同衬底上的生长研究综述，展示了hBN在不同衬底上的生长比较，包括蓝宝石衬底、氮化铝/蓝宝石模板、氮化铝衬底以及金刚石衬底等。
西安交通大学电子学院院长助理、副教授李强做了题为“BAlN合金中的相变和带隙工程”的主题报告，结合具体的数据，分享了最新研究成果。报告指出，采用溅射法制备了高质量的 hBN 薄膜并研究了薄膜的特性；制备的hBN薄膜可以在大面积上获得良好的光滑度；溅射制备的hBN薄膜的RS行为首先在Ag/hBN/Al结构中观察到；由BN和BAlN薄膜组成的DBR可以在UVB波段实现高反射；制备了h-BAlN和 w-BAlN，并获得了相变的证据。
中科院半导体所研究员张逸韵做了题为”基于MOCVD生长的β-Ga2O3纳米线晶体管及其日盲光电晶体管探测器研究“的主题报告。报告结合具体的数据，分享了基于Au纳米颗粒催化的氧化镓单晶纳米线的生长、氧化镓单根纳米线场效应晶体管器件、氧化镓单根纳米线光电晶体管日盲探测器件研究等最新研究成果。其中，利用金纳米颗粒作为催化剂实现MOCVD生长大面积高质量单晶氧化镓纳米线阵列，纳米线尺寸20~200nm，长度超过6.6微米。
金刚石在高温、高频、高效大功率半导体器件应用领域极具潜力，可应用于高端武器装备、电力电子器件、兆瓦级微波与光学窗口、航空航天、高端集成等领域。西安交通大学助理教授王艳丰做了题为“大面积单晶金刚石及场效应晶体管的研究”的主题报告，具体分享了金刚石材料的新进展以及金刚石场效应晶体管研究的最新成果，报告指出，英寸级单晶金刚石已经研制出来，需进一步提高质量，降低缺陷密度，更大面积的单晶金刚石也已经在同-异质外延两方面开展工作；金刚石基微波器件、功率电子器件已经开展了大量的工作。
山东大学微电子学院副教授徐明升做了题为”基于金刚石金属半导体场效应晶体管的日盲探测器“的视频主题报告，结合具体的研究过程，分享了最新研究成果。研究指出，H-金刚石基MESFET器件在日盲检测领域有重要应用前景，具有良好的动态光响应、毫秒响应时间等特点。
近年来，第三代半导体材料氧化镓由于其超大的禁带宽度（~4.9 eV）和超高的击穿场强（~8 MV/cm），在深紫外光电器件和高功率器件领域一直受到大家的广泛关注。为了进一步提升氧化镓光电器件的性能，人们通常通过构建Ga2O3/2D异质结界面，借助二维材料超高的载流子迁移率和优异的光学吸收来提升氧化镓器件的光电性能。“超宽禁带半导体材料“分论坛上，西安电子科技大学袁海东做了题为”β-Ga2O3/2D异质结界面性能调控“的主题报告。分享了最新研究成果。
南京大学况悦做了题为“κ-Ga2O3/In2O3 同型异质结构的能带排列和界面弯曲”的视频主题报告，分享了最新成果。研究通过激光分子束外延报告了单晶亚稳态正交 κ-Ga2O3外延层和立方In2O3(111) 的异质结构构造。研究表明，通过将 κ-Ga2O3 集成到其他六边形极性半导体上，可以打开通过极化工程操纵界面电导率的可能性，并提供具有多种功能的先进设备。
郑州大学Mussaab I. Niass做了题为“蓝宝石衬底上BGaN基深紫外边发射激光二极管的仿真研究”的视频主题报告，分享了最新研究成果。研究利用先进的LASTIP-Crosslight 模拟器，对由三元氮化硼镓BxGa1-xN组成的新型边缘发射激光二极管 (EELD) 进行了理论分析，以增强P型导电性。使用原型方案获得的模拟结果期望在270nm的目标UVC 波长处产生激光。
中山大学副教授卢星做了题为”超宽禁带氧化镓功率电子及核电子器件研究进展”的主题报告。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
