近日，由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）联合主办，北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司与半导体产业网共同承办的第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳会展中心举行。
期间，“固态紫外材料与器件技术“论坛上，挪威科学院院士、挪威科学技术大学教授Helge WEMAN做了题为“使用石墨烯作为透明导电衬底的AlGaN纳米线UV LED”的主题报告。其研究曾概述了一个通用原子模型，该模型描述了适用于所有传统半导体材料的石墨烯上半导体的外延生长。外延模型首先通过横截面透射电子显微镜研究证实，自催化 GaAs 纳米线通过自组装在石墨烯上垂直生长。
半导体在石墨烯上的外延生长对于器件应用非常有吸引力，因为石墨烯不仅可以作为半导体基板的替代品，而且还可以作为透明和柔性电极，例如 太阳能电池和 LED。对于需要用于各种消毒和灭菌目的的深紫外(UVC) AlGaN 基发光二极管 (LED)，该概念提供了优于目前基于薄膜的技术的真正优势。
由于缺乏良好的透明电极（ITO在UVC中吸收）、活性薄膜层中的高位错密度、低光提取效率以及使用非常昂贵的AlN衬底或蓝宝石衬底上的AlN缓冲层。在这种潜力的推动下，其目前专注于研究使用MOVPE和MBE在石墨烯上自组装GaN纳米线的生长。使用纳米尺寸的AlGaN成核岛在未经处理的CVD石墨烯上实现了非常高的成核率。
作为实现更高均匀性和位置控制的尝试，其还报道了使用 SiO2 孔掩模在石墨烯上选择性区域MOVPE生长AlGaN纳米锥。最近使用单层和双层石墨烯，其中使用等离子体辅助MB生长GaN/AlGaN纳米线作为发光结构。发现 GaN/AlGaN 纳米线表现出高晶体质量，没有可观察到的缺陷或堆垛层错。室温电致发光测量显示365 nm处的GaN相关近带隙发射峰，没有与缺陷相关的黄色发射。
报告中，还分享了其衍生公司 Crayonano 正在开发基于该技术的275 nm UVC LED。
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