近日，由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）联合主办，北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司与半导体产业网共同承办的第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳会展中心举行。
期间，“固态紫外材料与器件技术“论坛上，香港科技大学教授李世玮、艾欧史密斯（中国）热水器有限公司技术总监陈小波、广西大学物理学院光电材料与器件研究中心教授孙文红、中山大学电子信息工程学院教授江灏、西安电子科技大学副教授宁静、北京大学王柳冰，挪威科学院院士、挪威科学技术大学教授Helge WEMAN，厦门大学物理科学与技术学院副院长、教授黄凯，中国科学院半导体研究所研究员魏同波，北京大学物理学院副教授许福军，集美大学张议聪，广东省科学院半导体研究所先进材料平台副主任何晨光博士，桂林电子科技大学教授张法碧，郑州大学Muhammad Nawaz Sharif，港科技术（佛山）有限公司董国帅等精英专家们通过线上线下等不同方式带来精彩报告，分享前沿研究成果。厦门大学教授康俊勇和中国科学院半导体研究所研究员魏同波共同主持了本次论坛。
中山大学电子信息工程学院教授江灏做了题为“利用界面效应的高Al组分AlGaN的高效p型掺杂及其深紫外光电探测应用”的主题报告，分享了最新研究成果。报告介绍利用界面掺杂效应提高镁掺杂效率的研究。提出将掺杂界面分为上下界面，其中下部界面有利于Mg取代Al，而上部有利于Mg取代Ga。因此，引入金属源脉冲流以促进界面效果。
可见光信息传输系统的出现正在深刻影响着物联网技术的未来，物联网复杂的传感和驱动电路已成为阻碍信号转换和处理的关键因素。西安电子科技大学副教授宁静做了题为“基于维度调控的GaN紫外LED及光电集成”的主题报告，分享了最新研究成果，为实现影响物联网技术的低功率光通信传输系统提供一种新方法，同时也是基于GaN新型生长机理的原创性工作。
北京大学王柳冰做了题为“通过引入透明复合p型层和Ag纳米点/Al反射电极相结合提高深紫外LED的光提取效率”的主题报告。结合深紫外LED的研究背景，分享了兼顾深紫外LED电学特性和光学特性的技术手段，以及取得的研究成果。研究结果显示，研究设计并实现了高透明复合p型层与Ag纳米点/Al电极相结合的新型深紫外LED结构，在保证电学性能的基础上提高了光提取效率。
挪威科学院院士、挪威科学技术大学教授Helge WEMAN做了题为“使用石墨烯作为透明导电衬底的AlGaN纳米线UV LED”的视频报告，其目前专注于研究使用MOVPE和MBE在石墨烯上自组装GaN纳米线的生长。取得了使用纳米尺寸的AlGaN成核岛在未经处理的CVD石墨烯上实现了非常高的成核率等进展。
厦门大学物理科学与技术学院副院长、教授黄凯做了题为“紫外光电器件中的极化激元和等离激元研究”的主题报告。通过引入极化子或等离子体激元等新概念，可以获得具有新特性或高性能的光电子器件。报告展示了厦门大学在这方面取得的一些最新进展。
北京大学物理学院副教授许福军做了题为“高质量AlN实现路径探索及深紫外发光器件应用”的主题报告，分享了相关研究成果。其课题组系统开展了蓝宝石衬底上高质量AlN外延生长和缺陷控制研究，探索了AlN外延薄膜晶体质量提升的控制路径，取得了诸多进展。
集美大学张林君做了题为“AlGaN基UV-LED的热阻分析”的主题报告。研究通过MOCVD外延技术和倒装结构封装工艺来探讨264 nm的UVC LED的光、电、热的物理特性。研究结果在UV灭菌光源、UV固化光源等应用领域具有很高的研究价值，特别是其高亮度、高稳定、长寿命的特点。
郑州大学Muhammad Nawaz Sharif带来了题为”铟摩尔分数对InGaN基近紫外发光二极管光学性能的影响“的视频主题报告，报告显示，InGaN基量子阱 (QW) 具有更高的穿透位错密度 (TDD)，尽管TDD较高，但QW中的铟 (In) 波动会产生具有较高铟成分的局域激子。定域激子防止结合载流子非辐射复合，因铟成分较高而减少的非辐射复合导致自发发射率和内量子效率 (IQE) 提高。
艾欧史密斯（中国）热水器有限公司技术总监陈小波做了题为“紫外杀菌技术在净水器中的应用”的主题报告，紫外杀菌具有杀菌效率高、无化学污染物、适用性强等特点，相比传统汞灯，UVC LED具有很多优势，静态杀菌过流式杀菌等应用状况，当前，UVC LED杀菌应用存在着过流式模块体积大、UVC LED杀菌率低、UVC LED成本高等难点。未来随着净水需求的提高，以及净水器市场的增长，市场巨大。
港科技术（佛山）有限公司董国帅做了题为“峰值波长为 222nm 的远紫外线KrCl准分子灯的活化能和寿命研究”的主题报告，分享了最新研究成果。对于具有各种长度/半径的 KrCl Excilamp，成功地描绘了相对于归一化距离的归一化辐照度。
广东省科学院半导体研究所先进材料平台副主任何晨光博士分享了异质外延AlN材料的缺陷和应变调控研究成果。
桂林电子科技大学教授张法碧分享了紫外探测用Ga2O3合金研究的最新进展。
中国科学院半导体研究所研究员魏同波做了“AlN薄膜的应力调制、剥离及深紫外LED器件”的主题报告。
广西大学物理学院光电材料与器件研究中心教授孙文红分享了深紫外LED可靠性研究进展。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
