期间， “IFWS 2021：碳化硅功率器件与封装应用论坛“成功召开。会议由芜湖启迪半导体有限公司、中国电子科技集团公司第四十八研究所、北京北方华创微电子装备有限公司、德国爱思强股份有限公司协办支持。
▲复旦大学张园览
会上，复旦大学张园览分享了“基于P区反序掺杂策略的高效碳化硅结势垒肖特基二极管的研究”主题报告。
报告中介绍，在诸如结势垒肖特基(JBS)二极管等功率器件应用中，尽可能地降低由导通损耗、开关损耗和关态损耗组成的总功耗至关重要。为进一步改善器件的综合性能，该研究了一种新的P区反序掺杂策略(RPS)在碳化硅结势垒肖特基二极管的应用，并提出了一个新的优值(FOM, VF×IR×QC)来综合评估4H-SiC JBS二极管表现，基于这种新颖的RPS策略，JBS二极管在室温下实现了VF (1.58 V @20 A)、IR (0.4 μA @1200 V)和QC (94.3 nC @1200 V,1 MHz)的高效率，定义的FOM指数仅为57.2。
更重要的是，我们制备的碳化硅肖特基二极管即使在175 ℃的工作温度下也能保持非常高的器件效率，而不会降低所有这些重要特性。
报告提出的P区反序掺杂策略和FOM优值为进一步发展SiC功率器件提供了一种新型器件结构设计思路和有效的评估方法。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解！）
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